技術(shù)編號：6820363
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及諸如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)之類的存儲器件，特別是用于讀出和/或控制與DRAM的存儲單元相關(guān)的某些漏泄電流的方法和裝置。為了更好地理解申請人所面臨的某些問題，及本發(fā)明對這些問題的解決方案，首先參考附圖說明圖1所示的由存儲單元11構(gòu)成的存儲陣列10。為了說明起見，示出陣列10具有M行和N列，每行有一條行導線或字線(WL)，每列有一條列導線或位線(BL)。存儲單元11位于每個行和列導線的交叉點。行導線，或字線由一個行解碼器和驅(qū)動器電路20驅(qū)動，...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。