技術編號：6819887
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬一種半導體元件的制備方法，特別涉及一種異質P-N結的制備方法。由于立方氮化硼(c-BN)和金剛石的特殊結構，它們不僅作為超硬材料在工業(yè)中已得到了廣泛地應用，而且由于c-BN和金剛石具有比硅(Si)、鍺(Ge)寬得多的直接能隙，成為制作高性能半導體器件的理想材料。與本發(fā)明最相近的現(xiàn)有技術是發(fā)表在《Diamond and Related Materials》Vol.3(1994)P1389-1392的文章，題目是“Pn Junction diode b...
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