技術(shù)編號(hào)：6819729
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種為集成電路形成隔離(isolation)的方法，特別是涉及一種形成淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation,STI)的方法。半導(dǎo)體集成電路(ICs)的發(fā)展方向?yàn)樵黾用芏扰c縮小元件。在集成電路制造中，隔離結(jié)構(gòu)是一種重要技術(shù)。形成在硅基底上的元件必須與其它元件隔離。在次微米集成電路中建立有效的隔離，降低表面隔離空間，是一種復(fù)雜且具挑戰(zhàn)性的目標(biāo)。一種現(xiàn)有淺溝槽隔離的方法為，在一高溫氧化爐管內(nèi)氧化一硅晶圓，成長(zhǎng)一約150至250埃...
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