技術編號：6819716
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及具有SOI(在絕緣體上生長半導體，Semiconductor OnInsulator)結構的半導體器件及其制造方法，特別是涉及具有SOI結構的MOS晶體管，其能夠降低源極和漏極之間的擊穿電壓，改善其短溝道效應，還涉及這種MOS晶體管的制造方法。目前，在制造集成電路方面，由和NMOS晶體管相同的材料，例如，N+型多晶硅制成PMOS晶體管的柵電極，從而簡化制造工藝。通常采用其中具有掩埋溝道的體型PMOS晶體管。具有SOI結構的PMOS晶體管利用N+型...
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