技術(shù)編號：6819603
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及器件和器件的制造方法，特別涉及縱向晶體管。在器件制造中，在襯底上形成絕緣層，半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層。對這些膜層構(gòu)圖以確定圖形和間隔。圖形和間隔的最小尺寸或部特征尺寸(F)取決于光刻系統(tǒng)的分辨力。構(gòu)形和間隔以形成器件，如晶體管，電容器和電阻器。之后，這些器件互連而獲得規(guī)定的電功能。用常規(guī)制造方法，如氧化，離子注入，淀積，硅外延生長，光刻和腐蝕等形成各器件層并對它們構(gòu)圖。這些方法已由S.M.Sze.VLSI Technology.and ed.，New Y...
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