技術(shù)編號(hào)：6819455
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。更具體，本發(fā)明涉及具有柵電極的。背景技術(shù) 金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管包括在半導(dǎo)體襯底上形成的柵電極和在與柵電極的相對(duì)側(cè)鄰近的半導(dǎo)體襯底中形成的源/漏區(qū)。柵電極的線寬可能是器件的設(shè)計(jì)中重要的尺寸。隨著MOS晶體管的尺寸減小，也發(fā)生柵電極的線寬相應(yīng)減少。由于柵電極的線寬減小，因此柵電極的電阻一般增加。這些增加的電阻可以減小MOS晶體管的運(yùn)行速度，使之難以實(shí)現(xiàn)高速器件。已提出形成由多晶硅硅化物制成的柵電極的方法作為用來減小柵電極電阻的方法。多晶...
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