技術(shù)編號：6818704
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(后面就簡稱為SRAM)，更具體地說，是涉及作為半導(dǎo)體元件的存儲單元的結(jié)構(gòu)與布局。一般地說，用觸發(fā)器作為數(shù)據(jù)存儲裝置的SRAM比用電容器作為數(shù)據(jù)存儲裝置的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的(此后稱為DRAM)速度要快，而且不需要數(shù)據(jù)刷新。另一方面，構(gòu)成SRAM一個存儲單元的元件數(shù)目比構(gòu)成DRAM一個存儲單元的元件數(shù)目要多，因此SRAM一個存儲單元的面積是DRAM一個存儲單元面積的數(shù)倍。如圖6所示，常規(guī)的基本CMOS(互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。