一種生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片，包括Si襯底、AlN成核層、AlxGa1-xN步進(jìn)緩沖層、AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層、Si摻n-GaN層、InyGa1-yN/GaN量子阱層、AlzGa1-zN電子阻擋層和Mg摻p-GaN層，所述AlN成核層、AlxGa1-xN步進(jìn)緩沖層、AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層、Si摻n-GaN層、InyGa1-yN/GaN量子阱層、AlzGa1-zN電子阻擋層和Mg摻p-GaN層依次生長(zhǎng)在Si襯底上。本實(shí)用新型中外延生長(zhǎng)多量子阱層、電子阻擋層、p型GaN層，確保在外延降溫過(guò)程中不產(chǎn)生裂紋，能夠在Si襯底上外延出高質(zhì)量的GaN薄膜，降低缺陷密度，提高LED的內(nèi)量子效率。
【專利說(shuō)明】-種生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及LED外延片，特別是一種生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片。

【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管（LED)作為一種新型固體照明光源和綠色光源，具有體積小、耗電量 低、環(huán)保、使用壽命長(zhǎng)、高亮度、低熱量以及多彩等突出特點(diǎn)，在室外照明、商業(yè)照明以及裝 飾工程等領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用。當(dāng)前，在全球氣候變暖問(wèn)題日趨嚴(yán)峻的背景下，節(jié)約能 源、減少溫室氣體排放成為全球共同面對(duì)的重要問(wèn)題。以低能耗、低污染、低排放為基礎(chǔ)的 低碳經(jīng)濟(jì)，將成為經(jīng)濟(jì)發(fā)展的重要方向。在照明領(lǐng)域，LED發(fā)光產(chǎn)品的應(yīng)用正吸引著世人的 目光，LED作為一種新型的綠色光源產(chǎn)品，必然是未來(lái)發(fā)展的趨勢(shì)，二十一世紀(jì)將是以LED 為代表的新型照明光源的時(shí)代。但是現(xiàn)階段LED的應(yīng)用成本較高，發(fā)光效率較低，這些因素 都會(huì)大大限制LED向高效節(jié)能環(huán)保的方向發(fā)展。
[0003] III-族氮化物GaN在電學(xué)、光學(xué)以及聲學(xué)上具有極其優(yōu)異的性質(zhì)，近幾年受到廣 泛關(guān)注。GaN是直接帶隙材料，且聲波傳輸速度快，化學(xué)和熱穩(wěn)定性好，熱導(dǎo)率高，熱膨脹系 數(shù)低，擊穿介電強(qiáng)度高，是制造高效的LED器件的理想材料。目前，GaN基LED的發(fā)光效率 現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到28%并且還在進(jìn)一步的增長(zhǎng)，該數(shù)值遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于目前通常使用的白熾燈（約為 2% )或熒光燈（約為10% )等照明方式的發(fā)光效率。數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)表明，我國(guó)目前的照明用電 每年在4100億度以上，超過(guò)英國(guó)全國(guó)一年的用電量。如果用LED取代全部白熾燈或部分取 代熒光燈，可節(jié)省接近一半的照明用電，超過(guò)三峽工程全年的發(fā)電量。因照明而產(chǎn)生的溫室 氣體排放也會(huì)因此而大大降低。另外，與熒光燈相比，GaN基LED不含有毒的汞元素，且使 用壽命約為此類(lèi)照明工具的100倍。
[0004] 通常GaN基LED制備所使用的襯底為藍(lán)寶石以及SiC。但由于藍(lán)寶石襯底價(jià)格較 高，導(dǎo)致現(xiàn)階段LED芯片價(jià)格處于一個(gè)較高的水平。其次，由于藍(lán)寶石熱導(dǎo)率低（100°C時(shí)為 25W/m.K)，很難將芯片內(nèi)產(chǎn)生的熱量及時(shí)排出，導(dǎo)致熱量積累，降低了器件的內(nèi)量子效率， 從而最終影響器件的性能。對(duì)于SiC而言，雖然不存在上述的缺點(diǎn)，但高昂的價(jià)格制約了它 的應(yīng)用；另外，SiC襯底制備GaN基LED的專利只掌握在少數(shù)的外國(guó)公司手上。因此我們迫 切需要尋找一種價(jià)格低廉，具有高熱導(dǎo)率的新型襯底。
[0005] Si襯底由于具有成熟的制備工藝，高的結(jié)晶質(zhì)量，以及低廉的價(jià)格，高達(dá)100W/ m. K的熱導(dǎo)率，成為了制備GaN基LED器件襯底最好的選擇之一。但與GaN之間巨大的晶 格失配（16.9%)會(huì)在生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生大量的穿透位錯(cuò)，降低GaN層的晶體質(zhì)量，而穿透位 錯(cuò)的存在會(huì)導(dǎo)致缺陷復(fù)合，從而降低LED的內(nèi)量子效率，極大的阻礙了 LED的發(fā)光效率的提 高。此外，巨大的熱失配（54%)會(huì)在降溫過(guò)程中引入張引力而在GaN表面產(chǎn)生裂紋，制約 LED器件的制作。因此為了獲得高發(fā)光效率的硅襯底GaN基LED，必須要外延出高質(zhì)量的 GaN薄膜，同時(shí)防止裂紋的產(chǎn)生。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0006] 為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種生長(zhǎng)在Si襯底上的 LED外延片，本實(shí)用新型采用A1N及AlxGai_xN作為起始緩沖層，利用緩沖層間的晶格差異產(chǎn) 生的應(yīng)力過(guò)濾穿透位錯(cuò)的延生；通過(guò)AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層補(bǔ)償降溫過(guò)程中的張力從而阻止 裂紋的產(chǎn)生，進(jìn)而能夠外延出超過(guò)4 μ m，高質(zhì)量的GaN薄膜；同時(shí)采用此結(jié)構(gòu)外延生長(zhǎng)Si 摻n-GaN層、InyGai_yN/GaN量子阱層、A1ZG &1_ZN電子阻擋層和Mg摻p-GaN層，即LED外延片 結(jié)構(gòu)；確保在外延降溫過(guò)程中不產(chǎn)生裂紋，能夠在硅襯底上外延出高質(zhì)量的GaN薄膜，降低 缺陷密度，提高LED的內(nèi)量子效率。
[0007] 為解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案如下：
[0008] -種生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片，包括Si襯底、A1N成核層、AlxG ai_xN步進(jìn)緩 沖層、AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層、Si摻η-GaN層、InyG ai_yN/GaN量子阱層、A1ZG&1_ ZN電子阻擋層和 Mg摻p-GaN層，所述A1N成核層、AlxGai_xN步進(jìn)緩沖層、AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層、Si摻n-GaN 層、InyGai_yN/GaN量子阱層、A1ZG &1_ZN電子阻擋層和Mg摻p-GaN層依次生長(zhǎng)在Si襯底上， 其中，X 為 0-1, y 為 〇-〇· 2, z 為 0-0· 3。
[0009] 優(yōu)選的，所述Si襯底以（111)晶面為外延面，晶體外延取向關(guān)系為：GaN(0001)晶 面平行于Si (111)晶面，所述A1N成核層生長(zhǎng)在Si (111)晶面上。
[0010] 優(yōu)選的，所述AlxGai_xN步進(jìn)緩沖層包括Α1 α756&α25Ν緩沖層、△1(|.#&(|.#緩沖層和 AlQ.25Gaa75N緩沖層，所述Ala75Ga a25N緩沖層、Ala5Gaa5N緩沖層和Ala25Ga a75N緩沖層從下 到上依次生長(zhǎng)在A1N成核層與AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層之間。
[0011] 優(yōu)選的，所述A1N成核層的厚度為30-300nm ;所述Ala 75Gaa 25N緩沖層的厚度 為120-150nm，所述A1Q. 5GaQ. 5N緩沖層的厚度為150-200nm，所述A1Q. 25GaQ. 75N緩沖層的厚 度為200-300nm，所述AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層中A1N層的厚度為5-100nm，GaN層的厚度為 50-2000nm，AlN與GaN為交替生長(zhǎng)的周期性結(jié)構(gòu)，所述AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層層數(shù)為3-5層； 所述 Si 摻 η-GaN 厚度為 1000-2000·，其摻雜濃度為 5xl017-lxl019cnT3 ;所述 InyGahN/GaN 量子阱層中，InyGai_yN阱層厚度為3-5nm，GaN壘層厚度為5-15nm，周期數(shù)為3-10 ;所述 AipahN電子阻擋層的厚度為5-30nm ;所述的Mg摻p-GaN厚度為100-300nm。
[0012] 優(yōu)選的，所述AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層中A1N與GaN為交替生長(zhǎng)的周期性結(jié)構(gòu)，所述 AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層層數(shù)為3-5層。
[0013] 相比現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的有益效果在于：
[0014] 1、本實(shí)用新型米用A1N及AlpahN作為起始緩沖層，利用緩沖層間的晶格差異廣 生的應(yīng)力過(guò)濾穿透位錯(cuò)的延生，GaN基LED外延片的高分辨X射線衍射搖擺曲線（RCXRD) GaN(0002)的半峰寬達(dá)到了 400arcsec，（10-12)的半峰寬達(dá)到了 538arcsec，接近藍(lán)寶石襯 底外延的GaN基LED的晶體質(zhì)量；
[0015] 2、通過(guò)多層AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層補(bǔ)償降溫過(guò)程中的張力從而阻止裂紋的產(chǎn)生， 進(jìn)而能夠外延出超過(guò)4 μ m，高質(zhì)量的GaN薄膜；同時(shí)采用此結(jié)構(gòu)外延生長(zhǎng)Si摻η-GaN層、 InyGai_yN/GaN量子阱層、A1ZG &1_ZN電子阻擋層和Mg摻p-GaN層，即LED外延片結(jié)構(gòu)；確保在 外延降溫過(guò)程中不產(chǎn)生裂紋，能夠在硅襯底上外延出高質(zhì)量的GaN薄膜，降低缺陷密度，提 高LED的內(nèi)量子效率至73 %。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016] 圖1為本實(shí)用新型生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017] 圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例1制備的生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片的GaN(0002) 的高分辨X射線衍射搖擺曲線（RCXRD)圖譜；
[0018] 圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例1制備的生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片的GaN(10-12) 的高分辨X射線衍射搖擺曲線（RCXRD)圖譜；
[0019] 圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例1制備的生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片的低溫PL測(cè)試 圖；
[0020] 其中，1為Si襯底，2為A1N成核層，3為AlQ.75Ga Q.25N緩沖層，4為AlQ.5GaQ. 5N緩沖 層，5為AlQ.25GaQ. 75N緩沖層，6為AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層，7為Si摻n-GaN層，8為InyGai_ yN/ GaN量子阱層，9為A1ZG&1_ZN電子阻擋層，10為Mg摻p-GaN層。

【具體實(shí)施方式】
[0021] 下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0022] 如圖1所示，為本實(shí)用新型生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片，包括Si襯底1、A1N成 核層2、Al xGai_xN步進(jìn)緩沖層、AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層6、Si摻η-GaN層7、In yGai_yN/GaN量子 阱層8、A1ZG &1_ZN電子阻擋層9和Mg摻p-GaN層10,所述A1N成核層2、AlxG ai_xN步進(jìn)緩沖 層、AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層6、Si摻η-GaN層7、InyG ai_yN/GaN量子阱層8、A1ZG&1_ ZN電子阻擋 層9和Mg摻p-GaN層10依次生長(zhǎng)在Si襯底1上，其中，X為0-1，y為0-0. 2, z為0-0. 3。
[0023] 優(yōu)選方案中，所述AlxGai_xN步進(jìn)緩沖層包括Α1 α756&α25Ν緩沖層3、Α1α56&α5Ν緩沖 層 4 和 Ala25Gaa75N 緩沖層 5,所述 Ala75Gaa25N 緩沖層 3、Ala5Gaa5N 緩沖層 4 和 Ala25GaQ.75N 緩沖層5從下到上依次生長(zhǎng)在A1N成核層2與AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層6之間。所述Si襯底 1以（111)晶面為外延面，晶體外延取向關(guān)系為：GaN(OOOl)晶面平行于Si (111)晶面，所 述A1N成核層2生長(zhǎng)在Si襯底1 (111)晶面上，Α1α756&α25Ν緩沖層3、Ala5Ga a5N緩沖層4、 Al0.25GaQ.75N 緩沖層 5、AlN/GaN 應(yīng)力補(bǔ)償層 6、Si 摻 η-GaN 層 7、InyGai_yN/GaN 量子阱層 8、 A1ZG&1_ZN電子阻擋層9和Mg摻p-GaN層10依次生長(zhǎng)在A1N成核層2上。
[0024] 實(shí)施例1
[0025] 生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片的制備方法，包括以下步驟：
[0026] (1)襯底以及其晶向的選取：采用Si襯底，以（111)面為模板作為外延面，晶體外 延取向關(guān)系為：GaN的（0001)面平行于Si的（111)面，即GaN(0001)//Si(lll)。
[0027] (2)Si襯底清洗以及退火處理，所述清洗及退火工藝具體過(guò)程為：采用高濃度的 HF溶液（HF:H20 = 1:1)對(duì)Si襯底進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的刻蝕；再用去離子水清洗潤(rùn)洗30次；最后 用氮?dú)鈽寣⑵浯祪簦环湃敕磻?yīng)室內(nèi)在1050°C經(jīng)行高溫?zé)嵬嘶稹?br> [0028] (3)Si襯底溫度為1KKTC，在硅襯底上預(yù)鋪一層A1原子層，防止硅襯底同見(jiàn)13接 觸反應(yīng)生成SiN，接著通入NH 3將A1原子層氮化。
[0029] (4)Si襯底溫度為1KKTC，在步驟（2)所述的氮化后的A1N層上外延A1N成核層， 其厚度為50nm。
[0030] (5)3丨襯底溫度為8001：，在步驟（3)所述4以成核層上生長(zhǎng)41!^ &1_!^步進(jìn)緩沖層； 依次生長(zhǎng) 150nm 的 AlQ.75GaQ.25N 緩沖層、200nm 的 AlQ.5GaQ.5N 緩沖層和 220nm 的 AlQ.25GaQ.75N 緩沖層。
[0031] (6)在步驟（5)所述AlQ.25GaQ. 75N緩沖層上生長(zhǎng)AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層，其中A1N層 的生長(zhǎng)溫度為700°C，厚度為5nm ;其上GaN層的生長(zhǎng)溫度為1000°C，厚度為250nm，生長(zhǎng) 4個(gè)周期。
[0032] (7)Si襯底溫度為100(rC，在步驟（6)所述AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層上生長(zhǎng)Si摻n-GaN 層，其摻雜濃度為5χ1017αιΓ3,厚度為1500nm ;
[0033] (8)保持Si襯底溫度為1000°C，在步驟（7)所述的Si摻η-GaN層上依次外延 InQ. 15GaQ.85N/GaN量子阱層、Α1α如。.…電子阻擋層和Mg摻p-GaN層，其中In Q. 15GaQ.85N量子 阱層厚度為3nm，GaN壘層厚度為10nm，生長(zhǎng)10個(gè)周期；Al aiGaQ.9N電子阻擋層厚度為5nm， Mg 慘 p_GaN 層為 150nm。
[0034] 步驟（4)-(8)均采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝。
[0035] 圖2、3是本實(shí)施例制備的生長(zhǎng)在Si襯底上的GaN基LED的X射線搖擺曲線圖 譜，從X射線搖擺曲線中可以看到，GaN(0002)的X射線回?cái)[曲線的半峰寬（FWHM)值低于 400&1^86(：，631^(10-12)的半峰寬值為53831^86(3 ;表明在3丨（111)襯底上外延生長(zhǎng)出了高 質(zhì)量的GaN薄膜。
[0036] 圖4是本實(shí)施例制備的生長(zhǎng)Si襯底上的GaN基LED的低溫PL測(cè)試圖，從低溫 (10K)PL測(cè)試的光致發(fā)光強(qiáng)度同常溫（300K)PL測(cè)試的光致發(fā)光強(qiáng)度對(duì)比，可以看到該LED 的內(nèi)量子效率達(dá)到了 73% ;表明了在Si襯底上外延出了高發(fā)光效率的LED外延片。
[0037] 最后用電子束蒸發(fā)形成歐姆接觸制作橫向結(jié)構(gòu)芯片，在20mA的工作電流下，LED 器件的光輸出功率為4. 57mW，開(kāi)啟電壓值為3. 64V。
[0038] 實(shí)施例2
[0039] 生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片的制備方法，包括以下步驟：
[0040] (1)襯底以及其晶向的選取：采用Si襯底，以（111)面為模板作為外延面，晶體外 延取向關(guān)系為：GaN的（0001)面平行于Si的（111)面，即GaN(0001)//Si(lll)。
[0041] (2)Si襯底清洗以及退火處理，所述清洗及退火工藝具體過(guò)程為：采用高濃度的 HF溶液（HF:H20 = 1:1)對(duì)Si襯底進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的刻蝕；再用去離子水清洗潤(rùn)洗30次；最后 用氮?dú)鈽寣⑵浯祪簦环湃敕磻?yīng)室內(nèi)在1KKTC經(jīng)行高溫?zé)嵬嘶稹?br> [0042] ⑶Si襯底溫度為600°C，在硅襯底上預(yù)鋪一層A1原子層，防止硅襯底同NH3接觸 反應(yīng)生成SiN，接著通入NH 3將A1原子層氮化。
[0043] (4)Si襯底溫度為600°C，在步驟（2)所述的氮化后的A1N層上外延A1N成核層， 其厚度為l〇〇nm。
[0044] (5)3丨襯底溫度為8001：，在步驟（3)所述4以成核層上生長(zhǎng)41!^ 1_!^步進(jìn)緩沖層； 依次生長(zhǎng) 120nm 的 AlQ.75GaQ.25N 緩沖層、180nm 的 AlQ.5GaQ.5N 緩沖層和 250nm 的 AlQ.25GaQ.75N 緩沖層。
[0045] (6)在步驟（5)所述AlQ.25GaQ. 75N緩沖層上生長(zhǎng)AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層，其A1N層的 生長(zhǎng)溫度為1000°C，厚度為10nm ;其上GaN層的生長(zhǎng)溫度為1080°C，厚度為500nm，生長(zhǎng) 3個(gè)周期。
[0046] (7)Si襯底溫度為105(rC，在步驟（6)所述AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層上生長(zhǎng)Si摻n-GaN 層，其摻雜濃度為lxl〇19cnT3厚度為1500nm。
[0047] (8)保持Si襯底溫度為1050°C，在步驟（7)所述的Si摻η-GaN層上依次外延 Ina2GaQ.8N/GaN量子阱層、AlQ. 15GaQ.85N電子阻擋層和Mg摻p-GaN層，其中Ina2Ga Q.8N量子阱 層厚度為4nm，GaN壘層厚度為12nm，生長(zhǎng)9個(gè)周期；Α1α?56&α85Ν電子阻擋層厚度為20nm， Mg 慘 p_GaN 層為 200nm。
[0048] 步驟（4)-(8)均采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝。
[0049] 用電子束蒸發(fā)形成歐姆接觸制作橫向結(jié)構(gòu)芯片，在20mA的工作電流下，LED器件 的光輸出功率為4. 72mW，開(kāi)啟電壓值為3. 83V。
[0050] 對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種 相應(yīng)的改變以及形變，而所有的這些改變以及形變都應(yīng)該屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù) 范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片，其特征在于，包括Si襯底、A1N成核層、AlxGahN 步進(jìn)緩沖層、AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層、Si摻n-GaN層、InyGai_yN/GaN量子阱層、A1 ZG&1_ZN電子 阻擋層和Mg摻p-GaN層，所述A1N成核層、Al xGai_xN步進(jìn)緩沖層、AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層、Si 摻n-GaN層、InyGai_yN/GaN量子阱層、A1ZG &1_ZN電子阻擋層和Mg摻p-GaN層依次生長(zhǎng)在Si 襯底上，其中，X為0-1，y為〇-〇. 2, z為0-0. 3。
2. 如權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片，其特征在于，所述Si襯底以 (111)晶面為外延面，晶體外延取向關(guān)系為：GaN(0001)晶面平行于Si (111)晶面，所述A1N 成核層生長(zhǎng)在Si (111)晶面上。
3. 如權(quán)利要求2所述的生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片，其特征在于，所述AlxGai_xN步 進(jìn)緩沖層包括Al a 75Gaa 25N緩沖層、Ala 5Gaa 5N緩沖層和Ala 25Gaa 75N緩沖層，所述Ala 75Gaa 25N 緩沖層、Α1α 5Gaa 5N緩沖層和Α1α 25Gaa 75N緩沖層從下到上依次生長(zhǎng)在AIN成核層與AlN/GaN 應(yīng)力補(bǔ)償層之間。
4. 如權(quán)利要求3所述的生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片，其特征在于，所述A1N成核 層的厚度為30-300nm ;所述AlQ.75GaQ.25N緩沖層的厚度為120-150nm，所述Al Q.5GaQ.5N緩沖 層的厚度為150_200nm，所述Al Q.25GaQ.75N緩沖層的厚度為200-300nm，所述AlN/GaN應(yīng)力 補(bǔ)償層中A1N層的厚度為5-100nm，GaN層的厚度為50-2000nm ;所述Si摻η-GaN厚度為 1000-2000nm，其摻雜濃度為 5xl017-lxl019cnT3 ;所述 InyGai_yN/GaN 量子阱層中，InyGai_yN 阱 層厚度為3-5nm，GaN壘層厚度為5-15nm，周期數(shù)為3-10 ;所述A1ZG&1_ZN電子阻擋層的厚度 為5-30nm ;所述的Mg摻p-GaN厚度為100-300nm。
5. 如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片，其特征在于，所述 AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層中A1N與GaN為交替生長(zhǎng)的周期性結(jié)構(gòu)，所述AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層層數(shù) 為3-5層。
【文檔編號(hào)】H01L33/00GK203910839SQ201420307705
【公開(kāi)日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年6月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月10日
【發(fā)明者】李國(guó)強(qiáng) 申請(qǐng)人:廣州市眾拓光電科技有限公司