技術(shù)編號(hào):6816205
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及低位錯(cuò)密度的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)及其制造方法。近年來(lái),正在嘗試用價(jià)格及強(qiáng)度皆優(yōu)于InP基片的GaAs基片代替InP基片,在其上制作GaInAs/AlInAs系列的HEMT。不過(guò),GaAs的晶格常數(shù)為5.6533,然而,例如,與InP晶格匹配的Ga0.47In0.53As或Al0.48In0.52As的晶格常數(shù)為5.8688,兩者間存在約4%的晶格不匹配,若直接在GaAs基片上生長(zhǎng)Ga0.47In0.53As等,會(huì)因晶格不匹配而多發(fā)結(jié)晶缺陷。為了解決...
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