技術(shù)編號：6816190
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種?，F(xiàn)有技術(shù)的存儲器件，例如靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random AccessMemory,SRAM)、動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)，往往因為極小的缺陷使整個器件無法正常運作。為避免這種情況發(fā)生，一般以激光修補機來掃描晶片內(nèi)兩個L型或T型對準(zhǔn)鍵(Laser Target)，然后找出損壞線路的位置，最后進行修補工作。由于工藝水準(zhǔn)的進步，使得晶片空間縮小，但是如果將對準(zhǔn)鍵縮小或?qū)?..
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。