專利名稱：半導(dǎo)體器件的修補(bǔ)測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的修補(bǔ)測試方法。
現(xiàn)有技術(shù)的存儲器件，例如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Static Random AccessMemory,SRAM)、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)，往往因為極小的缺陷使整個器件無法正常運(yùn)作。為避免這種情況發(fā)生，一般以激光修補(bǔ)機(jī)來掃描晶片內(nèi)兩個L型或T型對準(zhǔn)鍵(Laser Target)，然后找出損壞線路的位置，最后進(jìn)行修補(bǔ)工作。
由于工藝水準(zhǔn)的進(jìn)步，使得晶片空間縮小，但是如果將對準(zhǔn)鍵縮小或?qū)⒕€路設(shè)計在太接近對準(zhǔn)鍵，那么往往使得激光修補(bǔ)機(jī)無法正確辨識，造成修補(bǔ)時未能燒至需要修補(bǔ)的線路，使得修補(bǔ)率及晶片的合格率下降。


圖1a和1b表示現(xiàn)有技術(shù)使用L型對準(zhǔn)鍵的修補(bǔ)測試方法及L型對準(zhǔn)鍵的長寬圖形。
首先，請參照圖1a，在晶片上找出要修補(bǔ)晶粒10，在晶粒10上具有兩個L型對準(zhǔn)鍵(12和14)。接著請參見圖1b，其為L型對準(zhǔn)鍵12的放大圖。在L型對準(zhǔn)鍵上具有X軸坐標(biāo)16與Y軸坐標(biāo)18，其中L型對準(zhǔn)鍵的外側(cè)長寬都為40μm，L型本身字體寬度為5μm。另一個L型對準(zhǔn)鍵14也有相同的結(jié)構(gòu)。由于兩個L型對準(zhǔn)鍵上X軸坐標(biāo)與Y軸坐標(biāo)已事先設(shè)定，所以，激光修補(bǔ)機(jī)在進(jìn)行X軸掃描和Y軸掃描時，只要找出兩個L型對準(zhǔn)鍵的位置，激光修補(bǔ)機(jī)就可以根據(jù)上述坐標(biāo)數(shù)據(jù)，由輸入損壞電路相對位置，進(jìn)一步找出損壞電路位置8。然后激光修補(bǔ)機(jī)將損壞線路的保險絲燒斷，替換為具有相同功能的新線路，使得晶粒能繼續(xù)正常運(yùn)作。
使用相同的步驟，將L型對準(zhǔn)鍵以T型對準(zhǔn)鍵代替，可以更充分地利用剩余空間。
圖2a～2b表示現(xiàn)有技術(shù)使用T型對準(zhǔn)鍵的修補(bǔ)測試方法及T型對準(zhǔn)鍵的長寬圖形。
首先，請參照圖2a，在晶片上找出一要修補(bǔ)晶粒20，在晶粒20上具有兩個T型對準(zhǔn)鍵(22與24為一組，26與28為一組)，接著請參見圖2b，其為T型對準(zhǔn)鍵22與24的放大圖，T型對準(zhǔn)鍵22與24包括一直立一字型22，具有X軸坐標(biāo)32；與一橫立一字型24，具有Y軸坐標(biāo)34。直立一字型22長為40μm，寬為5μm。橫立一字型24長為5μm，寬為40μm。另一組T型對準(zhǔn)鍵26與28也有相同結(jié)構(gòu)。由于兩個T型對準(zhǔn)鍵上X軸坐標(biāo)與Y軸坐標(biāo)已事先設(shè)定，所以激光修補(bǔ)機(jī)在進(jìn)行X軸掃描和Y軸掃描時，只要找出兩個T型對準(zhǔn)鍵的位置，激光修補(bǔ)機(jī)就可以根據(jù)上述坐標(biāo)數(shù)據(jù)，由輸入損壞電路相對位置，進(jìn)一步找出損壞電路位置30，然后激光修補(bǔ)機(jī)將損壞線路的保險絲燒斷，替換為具有相同功能的線路，使得晶粒繼續(xù)正常運(yùn)作。
但是隨著技術(shù)進(jìn)步，晶粒的空間逐漸減小，但是激光修補(bǔ)機(jī)所要辨識的對準(zhǔn)鍵的大小卻無法相對地縮小，否則容易造成誤判的情形，但是如果對準(zhǔn)鍵所占的空間過大，那么就會使晶粒內(nèi)部線路與對準(zhǔn)鍵過近，同樣造成誤判的情形，使得激光修補(bǔ)機(jī)的修補(bǔ)率與晶粒的合格率下降。此外另一個問題是對準(zhǔn)鍵的坐標(biāo)由產(chǎn)品工程師或設(shè)計工程師提供，如果有錯誤性的偏差數(shù)據(jù)，也會影響到修補(bǔ)的效果。
因此，本發(fā)明的主要目的就是降低對準(zhǔn)鍵所占的空間，將本來一個晶粒使用兩對準(zhǔn)鍵改成只使用一個對準(zhǔn)鍵的方法，減少因?qū)?zhǔn)鍵與晶粒內(nèi)線路過近，造成激光修補(bǔ)機(jī)誤判，影響合格率和修補(bǔ)率。
本發(fā)明的另一目的在于利用周圍的晶粒的對準(zhǔn)鍵做為對稱對準(zhǔn)鍵，可以正確地推出其相關(guān)坐標(biāo)，使得激光修補(bǔ)機(jī)掃描時，不會產(chǎn)生工程師所給數(shù)據(jù)的誤差，導(dǎo)致修補(bǔ)錯誤的情形，所以精密度可以大幅度提高。
本發(fā)明的再一目的為以T型對準(zhǔn)鍵，不但具有上述兩項節(jié)省一個對準(zhǔn)鍵空間及利用周邊晶粒的對準(zhǔn)鍵以提高精密度的優(yōu)點，而且能充分利用剩余空間擺置對準(zhǔn)鍵，達(dá)到容易配置的好處。
根據(jù)本發(fā)明的上述目的，提出一種半導(dǎo)體器件的修補(bǔ)測試方法，用于一激光修補(bǔ)機(jī)，包括下列步驟首先提供具有多個晶粒的一晶片，且晶粒間以切割道分離，在每一晶粒上都有一L型對準(zhǔn)鍵，其中每一L型對準(zhǔn)鍵在對應(yīng)的每一晶粒上相同的位置；接著在這些晶粒中，取任一有損壞線路的晶粒的L型對準(zhǔn)鍵，設(shè)定為一基本對準(zhǔn)鍵，并對基本對準(zhǔn)鍵外的其它晶粒，取周圍最接近任一晶粒的L型對準(zhǔn)鍵，設(shè)定為一對稱對準(zhǔn)鍵，利用基本對準(zhǔn)鍵與對稱對準(zhǔn)鍵個別的X軸坐標(biāo)與Y軸坐標(biāo)，以激光修補(bǔ)機(jī)掃描出后，再輸入損壞線路的一位置，找出損壞線路的位置，將損壞線路的保險絲燒斷，替換為一具有相同功能線路的新線路。
也可以將L型對準(zhǔn)鍵以T型對準(zhǔn)鍵代替，來達(dá)到上述目的。
為使本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明。附圖中圖1a～1b表示現(xiàn)有技術(shù)中使用L型對準(zhǔn)鍵的修補(bǔ)測試方法及L型對準(zhǔn)鍵的長寬圖形；圖2a～2b表示現(xiàn)有技術(shù)中使用T型對準(zhǔn)鍵的修補(bǔ)測試方法及T型對準(zhǔn)鍵的長寬圖形；圖3繪示根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，一種使用L型對準(zhǔn)鍵的半導(dǎo)體器件修補(bǔ)測試方法；以及圖4繪示根據(jù)本發(fā)明的第二實施例，一種使用T型對準(zhǔn)鍵的半導(dǎo)體器件修補(bǔ)測試方法。第一實施例圖3繪示根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，一種使用L型對準(zhǔn)鍵的半導(dǎo)體器件的修補(bǔ)測試方法。
首先請參考圖3，圖中顯示由一晶片取相連接的九個由多晶硅構(gòu)成的晶粒，包括晶粒41至晶粒49。每一晶粒分別具有一由金屬構(gòu)成的L型對準(zhǔn)鍵，包括晶粒41至晶粒49所分別對應(yīng)的L型對準(zhǔn)鍵51至L型對準(zhǔn)鍵59。每一個L型對準(zhǔn)鍵所在晶粒的相對位置都相同，其中每一L型對準(zhǔn)鍵的外圍長寬都為40μm,L型對準(zhǔn)鍵本身寬度為5μm。在L型對準(zhǔn)鍵內(nèi)部上方縱向與下方橫向分別具有一X軸坐標(biāo)與一Y軸坐標(biāo)。此外在每一晶粒外圍由一切割道50將晶粒隔開。
在晶片上所有的晶粒中，可隨易取任一晶粒的L型對準(zhǔn)鍵，設(shè)定為一基本對準(zhǔn)鍵。但一般是將具有損壞電路的晶粒，例如圖中以有損壞電路晶粒45的L型對準(zhǔn)鍵55設(shè)定為基本對準(zhǔn)鍵。接著以此基本對準(zhǔn)鍵外的其他晶粒中，取任一晶粒的L型對準(zhǔn)鍵，設(shè)定為一對稱對準(zhǔn)鍵，一般是以最接近基本對準(zhǔn)鍵周圍的晶粒，例如取右邊的晶粒46的L型對準(zhǔn)鍵56，設(shè)定為對稱對準(zhǔn)鍵。
由于每一個晶粒41至49的長寬以及切割道50大小固定，而且每一個L型對準(zhǔn)鍵位于晶粒上的相對位置又相同，所以只要知道基本對準(zhǔn)鍵的X軸與Y軸的坐標(biāo)，便可以由此推算出對稱對準(zhǔn)鍵的X軸與Y軸的坐標(biāo)，假如設(shè)定基本對準(zhǔn)鍵55的X軸坐標(biāo)與Y軸坐標(biāo)分別為(-200,220)與(-180,200)，單位為μm，在晶粒間含切割道的長、寬距離分別為(1000,1500)，而對稱對準(zhǔn)鍵56位于第一對準(zhǔn)鍵55右方，所以只要在橫向加上1000μm，即可算出對稱對準(zhǔn)鍵56的X軸坐標(biāo)與Y軸坐標(biāo)分別為(-200+1000=800,220)與(-180+1000=820,200)，若選擇其它的晶粒的L型對稱鍵為對稱對準(zhǔn)鍵，例如上(晶粒42)、下(晶粒48)、左(晶粒44)、右(晶粒46)，只要以基本對稱鍵的X軸坐標(biāo)與Y軸坐標(biāo)，在縱方向或橫方向加減晶粒間含切割道的長、寬，就可以找出對稱對準(zhǔn)鍵位置的坐標(biāo)。
接著利用上述基本對準(zhǔn)鍵與該對稱對準(zhǔn)鍵的坐標(biāo)，輸入激光修補(bǔ)機(jī)內(nèi)部，以掃描找出它們的位置，使得激光修補(bǔ)機(jī)以它們的相對坐標(biāo)，在損壞線路位置輸入下，找出正確修補(bǔ)位置，然后一損壞線路的保險絲燒斷，替換為一具有相同功能的更新線路。第二實施例圖4繪示了根據(jù)本發(fā)明的第二實施例，一種使用T型對準(zhǔn)鍵的半導(dǎo)體器件修補(bǔ)測試方法。
圖4中顯示由一晶片取相連接的九個由多晶硅構(gòu)成的晶粒，包括晶粒61至晶粒69。每一晶粒分別具有一T型對準(zhǔn)鍵，包括晶粒61至晶粒69所分別對應(yīng)的T型對準(zhǔn)鍵71～72至T型對準(zhǔn)鍵87～88。每一個T型對準(zhǔn)鍵所在晶粒的相對位置都相同。每一T型對準(zhǔn)鍵由兩個一字型構(gòu)成，一字型的長邊為40μm，短邊為5μm。在兩個一字型中，一個為直立一字型，另一個為橫立一字型。直立一字型具有一X軸坐標(biāo)，橫立一字型具有一Y軸坐標(biāo)。此外在每一晶粒外圍有一切割道70，其將晶粒隔開。
在晶片上所有的晶粒中，可隨易取任一晶粒的T型對準(zhǔn)鍵，設(shè)定為一基本對準(zhǔn)鍵。一般以有損壞電路的晶粒的T型對準(zhǔn)鍵，例如圖中以需修補(bǔ)的晶粒65的T型對準(zhǔn)鍵79～80設(shè)定為基本對準(zhǔn)鍵，接著以此基本對準(zhǔn)鍵外的其它晶粒中，取任一晶粒的T型對準(zhǔn)鍵，設(shè)定為一對稱對準(zhǔn)鍵。一般在選擇時，都會以最接近基本對準(zhǔn)鍵周圍的晶粒，例如取下方的晶粒68的T型對準(zhǔn)鍵85～86，設(shè)定為對稱對準(zhǔn)鍵。
由于每一個晶粒61至69的長寬以及切割道70的大小固定，每一個L型對準(zhǔn)鍵在晶粒上的相對位置又相同，所以只要知道基本對準(zhǔn)鍵的X軸與Y軸坐標(biāo)，便可以由此推算出對稱對準(zhǔn)鍵的X軸與Y軸坐標(biāo)，例如設(shè)定晶粒65的T型對準(zhǔn)鍵79～80為基本對準(zhǔn)鍵，其X軸坐標(biāo)與Y軸坐標(biāo)分別為(-200,220)與(180,-200)，單位為μm，在晶粒間含切割道的長、寬距離分別為(1000,1500)，而對稱對準(zhǔn)鍵85～86位于基本對準(zhǔn)鍵79～80右方，所以只要在縱向減少1500μm，即可算出對準(zhǔn)鍵85～86的X軸坐標(biāo)與Y軸坐標(biāo)分別為(-200,220-1500=-1280)與(-180,200-1500=-1300)，若選擇其他晶粒的T型對準(zhǔn)鍵為對稱對準(zhǔn)鍵，例如上(晶粒62)、下(晶粒68)、左(晶粒64)、右(晶粒66)，只要以基本對準(zhǔn)鍵的X軸坐標(biāo)與Y坐標(biāo)，在縱方向或橫方向加減晶粒間含切割道的長、寬，就可以找出對稱對準(zhǔn)鍵位置的坐標(biāo)。
接著利用上述的基本對準(zhǔn)鍵與該對稱對準(zhǔn)鍵的坐標(biāo)，輸入激光修補(bǔ)機(jī)內(nèi)部，以掃描找出它們的位置，使得激光修補(bǔ)機(jī)以它們的相對坐標(biāo)，在損壞線路位置輸入下，找出正確修補(bǔ)位置，將一損壞線路的保險絲燒斷，替換為一具有相同功能的新線路。
因此，本發(fā)明的特征之一就是一個晶粒只使用一個對準(zhǔn)鍵，使得對準(zhǔn)鍵所占空間減少，而不需要縮小對準(zhǔn)鍵的大小或使用兩個對準(zhǔn)鍵，避免對準(zhǔn)鍵與線路過近，使激光修補(bǔ)機(jī)產(chǎn)生誤判，影響修補(bǔ)率和晶粒合格率。
本發(fā)明的另一特征在于使用周圍任一晶粒的對準(zhǔn)鍵作為對稱對準(zhǔn)鍵，由于晶粒及切割道的長寬固定，所以可以推出其正確的相對坐標(biāo)，使得激光修補(bǔ)機(jī)掃描時，不會產(chǎn)生修補(bǔ)錯誤，所以可以大幅度提高精密度。
本發(fā)明的再一特征為使用T型對準(zhǔn)鍵，不但能夠節(jié)省一個對準(zhǔn)鍵空間，并利用周邊晶粒的對準(zhǔn)鍵提高精密度，還能充分運(yùn)用剩余空間，放置對準(zhǔn)鍵，進(jìn)一步提高晶粒效用。
雖然已結(jié)合兩個優(yōu)選實施例公開了本發(fā)明，但其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作出各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)由后附的權(quán)利要求來限定。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體器件的修補(bǔ)測試方法，用于一激光修補(bǔ)機(jī)，包括下列步驟提供具有多個晶粒的一晶片，其中每一所述晶粒上具有一L型對準(zhǔn)鍵，且每一所述L型對準(zhǔn)鍵在對應(yīng)的每一所述晶粒上相同的位置；在這些晶粒中，取任一晶粒的所述L型對準(zhǔn)鍵，設(shè)定為一基本對準(zhǔn)鍵；在所述基本對準(zhǔn)鍵外的晶粒中取任一晶粒的所述L型對準(zhǔn)鍵，設(shè)定為一對稱對準(zhǔn)鍵；利用所述基本對準(zhǔn)鍵與所述對稱對準(zhǔn)鍵，以所述激光修補(bǔ)機(jī)掃描，找出一損壞線路；以及將所述損壞線路燒斷，替換為一更新線路。
2．如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述晶粒為一多晶硅。
3．如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述晶粒的周圍以一切割道將每一所述晶粒分離。
4．如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述L型對準(zhǔn)鍵為一金屬。
5．如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述L型對準(zhǔn)鍵的外圍長寬都為40μm，所述L型對準(zhǔn)鍵本身寬度為5μm。
6．如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述L型對準(zhǔn)鍵內(nèi)部上方具有一X軸坐標(biāo)，所述L型對準(zhǔn)鍵內(nèi)部下方具有一Y軸坐標(biāo)。
7．如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基本對準(zhǔn)鍵的所述晶粒設(shè)定在所述損壞線路的晶粒。
8．如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述對稱對準(zhǔn)鍵的所述晶粒使用所述基本對準(zhǔn)鍵周圍的晶粒。
9．如權(quán)利要求1所述的方法，其中找到所述損壞線路，是利用所述基本對準(zhǔn)鍵與所述對稱對準(zhǔn)鍵個別的所述X軸坐標(biāo)與所述Y軸坐標(biāo)，以所述激光修補(bǔ)機(jī)掃描出后，再利用所述損壞線路的一位置，找出所述損壞線路。
10．如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述損壞線路與所述更新線路為具有相同功能的線路。
11．如權(quán)利要求10所述的方法，其中將所述損壞線路燒斷是將一保險絲燒斷。
12．一種半導(dǎo)體器件的修補(bǔ)測試方法，用于一激光修補(bǔ)機(jī)，包括下列步驟提供具有多個晶粒的一晶片，其中每一所述晶粒上具有一T型對準(zhǔn)鍵，且每一所述T型對準(zhǔn)鍵在對應(yīng)的每一所述晶粒上相同的位置；在所述晶粒中，取任一晶粒的所述T型對準(zhǔn)鍵，設(shè)定為一基本對準(zhǔn)鍵；從所述基本對準(zhǔn)鍵外的所述晶粒中取任一晶粒的所述T型對準(zhǔn)鍵，設(shè)定為一對稱對準(zhǔn)鍵；利用所述基本對準(zhǔn)鍵與所述對稱對準(zhǔn)鍵，以所述激光修補(bǔ)機(jī)掃描，找出一損壞線路；以及將所述損壞線路燒斷，替換為一更新線路。
13．如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述晶粒為一多晶硅。
14．如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述晶粒的周圍以一切割道將每一所述晶粒分離。
15．如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述T型對準(zhǔn)鍵為一金屬。
16．如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述T型對準(zhǔn)鍵為兩個一字型，所述一字型的長邊為40μm，短邊為5μm，兩個一字型的一個為一直立一字型，另一個為一橫立一字型，且兩個一字型不相交重疊。
17．如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述T型對準(zhǔn)鍵的所述直立一字型具有一X軸坐標(biāo)，所述橫立一字型具有一Y軸坐標(biāo)。
18．如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述基本對準(zhǔn)鍵的所述晶粒設(shè)定在所述損壞線路的所述晶粒。
19．如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述對稱對準(zhǔn)鍵的所述晶粒使用所述基本對準(zhǔn)鍵周圍的所述晶粒。
20．如權(quán)利要求12所述的方法，其中找到所述損壞線路，是利用所述基本對準(zhǔn)鍵與所述對稱對準(zhǔn)鍵個別的所述X軸坐標(biāo)與所述Y軸坐標(biāo)，以所述激光修補(bǔ)機(jī)掃描出后，再利用所述損壞線路的一位置，找出所述損壞線路。
21．如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述損壞線路與所述更新線路為具有相同功能的線路。
22．如權(quán)利要求21所述的方法，其中將所述損壞線路燒斷是將一保險絲燒斷。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件的修補(bǔ)測試方法,在一個晶粒上使用一個對準(zhǔn)鍵,使得對準(zhǔn)鍵所占空間減少,避免因?qū)?zhǔn)鍵空間過大與線路過近,或因縮小每一對準(zhǔn)鍵大小,造成激光修補(bǔ)機(jī)誤判的情形。并且利用周圍任一晶粒的對準(zhǔn)鍵,由固定的晶粒及切割道的長、寬,推算出相對坐標(biāo),有效提高激光修補(bǔ)的精密度,找出損壞線路的正確位置,使得修補(bǔ)率及晶粒的合格率提高。
文檔編號H01L21/66GK1223455SQ9712298
公開日1999年7月21日 申請日期1997年11月28日 優(yōu)先權(quán)日1997年11月28日
發(fā)明者陳揚(yáng) 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司