技術編號：6812375
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種包括多個存儲單元，特別是將薄膜晶體管(以下，稱為TFT)用作負載器件的靜態(tài)型存儲單元的，并且涉及采取薄膜布線層與其它布線層連接的構造及實現(xiàn)該構造的技術。在附圖說明圖18中，示出了多個包括用TFT作為負載器件的靜態(tài)型存儲單元的半導體存儲裝置電路構成例。構成存儲單元的驅動晶體管由N溝道FET(N1～N2n)構成，而負載器件則由P溝道TFT(P1～P2n)構成。在這里，TFT(P1～P2n)的源、漏及溝道區(qū)域(以下，總稱為體)由第1多晶硅層(以下，...
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