技術(shù)編號(hào):6812289
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置全面采用的半導(dǎo)體基板與上層導(dǎo)電層的接點(diǎn)構(gòu)造。隨著半導(dǎo)體裝置的高度集成、元件微型化,接點(diǎn)直徑也細(xì)微化,而且在一個(gè)裝置內(nèi)形成的接點(diǎn)個(gè)數(shù)也變得龐大,從而個(gè)體特性的改善影響著半導(dǎo)體裝置本身的特性。例如,隨著接點(diǎn)直徑的細(xì)微化,接觸電阻增大,在半導(dǎo)體裝置內(nèi)傳送信號(hào)時(shí)形成障礙,成為造成信號(hào)延遲和晶體管動(dòng)作不穩(wěn)定的因素。而且,從接點(diǎn)泄漏到半導(dǎo)體基板的漏電流,就各個(gè)接點(diǎn)來(lái)說(shuō)即便是電流較小場(chǎng)合,在對(duì)數(shù)干乃至數(shù)萬(wàn)以上元件進(jìn)行集成化的半導(dǎo)體裝置中,也形成為大的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。