技術(shù)編號(hào):6812168
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路器件及其制造技術(shù),更具體地講,涉及一種能有效地應(yīng)用于具有存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體集成電路器件的技術(shù),該存儲(chǔ)單元是通過(guò)制作強(qiáng)介電材料的電容性元件(電容器)的電容器絕緣膜來(lái)形成的。近年來(lái)的大容量DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)中,為了補(bǔ)償電容性元件聚集的電荷的減少,這起因于存儲(chǔ)單元的微型化,已經(jīng)采用了疊層電容器結(jié)構(gòu),其中在存儲(chǔ)單元選擇MISFET之上設(shè)置電容性元件。此外,通過(guò)把其下電極(存儲(chǔ)電極)構(gòu)形為翅片狀或圓筒狀,使電容性元件的表面積擴(kuò)大,而...
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