技術(shù)編號(hào)：6809153
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明有關(guān)于用于互補(bǔ)式金氧半晶片上的一種靜電放電防護(hù)電路，本發(fā)明的靜電放電防護(hù)電路包含有四個(gè)低電壓觸發(fā)硅控整流器，提供四個(gè)靜電放電的電流路徑來直接保護(hù)集成電路中的內(nèi)部電路，以避免各種模式的靜電放電現(xiàn)象。在互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS集成電路中，隨著制程的演進(jìn)，元件的尺寸已到了次微米階段。在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出輕摻雜漏極(Light-Doped Drain)制程與結(jié)構(gòu)；為降低MOS元件Rs，Rd等串聯(lián)電阻而...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。