技術(shù)編號(hào)：6805182
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于一種場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)、一種相關(guān)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元與其相關(guān)的制造方法，且特別是關(guān)于一種可用于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取(DRAM)內(nèi)存中的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)。在半導(dǎo)體技術(shù)中，特別使用具最高集成密度的最先進(jìn)技術(shù)來制造所謂的動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)；然而隨著封裝密度或集成密度的提高，在DRAM半導(dǎo)體內(nèi)存中會(huì)產(chǎn)生下述困難為控制DRAM半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元中選擇晶體管的短溝道行為(滾降，roll-off)，在所有的生產(chǎn)技術(shù)中，皆必須增加相關(guān)的井摻雜(welldoping)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。