技術(shù)編號：6804822
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及按所述順序至少具有襯底、緩沖層和用通式InxGayAlzN(式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1，x+y+z＝1)表示的3～5族化合物半導(dǎo)體晶體層的。背景技術(shù) 作為紫外或藍(lán)色的發(fā)光二極管或者紫外或藍(lán)色的激光二極管等發(fā)光元件的材料，知道具有用通式InxGayAlzN(其中x+y+z＝1，0＜x≤1、0≤y＜1、0≤z＜1)表示的3～5族化合物半導(dǎo)體晶體層的3～5族化合物半導(dǎo)體。以下往往將該通式中的x、y及z分別記為InN混晶比、GaN混晶比、及A...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。