技術(shù)編號：6802507
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件的制造方法，依此法，在一表面，半導體內(nèi)形成至少一個槽，從表面伸向半導體內(nèi)，通過掩模用離子注入法，在該槽的一部分形成一摻雜區(qū)。本發(fā)明還涉及用該方法制造的半導體器件。該槽(例如可以是U-型或V-型)可在有源區(qū)間形成一隔離區(qū)，諸如雙極電路中的絕緣島。另一個實施例中，槽內(nèi)設置導電層，例如，象由申請人提交并于1987年9月30日公開的歐洲專利申請EP0239151中敘述的那樣，形成電荷耦合器件的柵極。在該器件中，其傳輸通道限位于兩平行溝槽的臺...
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