技術(shù)編號(hào):6801224
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在各類電子儀器上裝載的存儲(chǔ)器、光電轉(zhuǎn)換裝置、信號(hào)處理裝置等半導(dǎo)體器件的制造方法,特別涉及具有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)特征的半導(dǎo)體器件的制造方法。在已有的半導(dǎo)體器件中,在對(duì)布線層進(jìn)行刻制圖形時(shí),把預(yù)先設(shè)置在預(yù)定位置的凹陷部位作為標(biāo)記進(jìn)行自動(dòng)掩模套合(自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)),來(lái)提高刻圖的精度。例如,具有CMOS晶體管的已有半導(dǎo)體器件,在襯底1主面預(yù)定位置的氧化膜2、4上通過(guò)選擇性腐蝕除去一部分氧化膜,使Si表面露出后,在包括該部分即主標(biāo)記部位6的整個(gè)襯底主面上,覆蓋金屬膜9...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。