專利名稱：具有對準標記的半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在各類電子儀器上裝載的存儲器、光電轉(zhuǎn)換裝置、信號處理裝置等半導(dǎo)體器件的制造方法，特別涉及具有對準標記結(jié)構(gòu)特征的半導(dǎo)體器件的制造方法。
在已有的半導(dǎo)體器件中，在對布線層進行刻制圖形時，把預(yù)先設(shè)置在預(yù)定位置的凹陷部位作為標記進行自動掩模套合(自動對準)，來提高刻圖的精度。例如，具有CMOS晶體管的已有半導(dǎo)體器件，在襯底1主面預(yù)定位置的氧化膜2、4上通過選擇性腐蝕除去一部分氧化膜，使Si表面露出后，在包括該部分即主標記部位6的整個襯底主面上，覆蓋金屬膜9，以便在該金屬膜上部形成相應(yīng)于該主標記部位6形狀的凹陷部位10。對于如

圖1所示形成的凹陷處，用激光照射，且利用檢測其反射信號所得到的檢測數(shù)據(jù)，或者用TV-AA(電視自動對準)等圖象處理方法的數(shù)據(jù)處理，作自動掩模套合，以此對上述金屬膜進行刻圖，形成所要求圖形的布線圖。
然而，象這樣公知的半導(dǎo)體器件，利用如W的CVD等金屬膜沉積技術(shù)，使上述金屬膜成膜時，作為布線層若要得到必須的膜厚，則依據(jù)該技術(shù)特點的選擇生長性，在用于自動掩模套合的對準標記的主標記部位及其周圍沉積的所有面的金屬膜被整平了。由于沒有形成對應(yīng)于上述主標記部位的凹陷，因而產(chǎn)生如下的缺陷，難以確認自動掩模套合所必要的主標記的位置，致使掩模套合精度顯著降低。
圖2為利用W的CVD法的選擇沉積方式形成布線的情況。由于在主標記6上由W構(gòu)成的金屬膜填在絕緣膜4上面，所以把作為下一工序的對準標記的部位10整平了。
本發(fā)明之目的在于，為了解決上述技術(shù)問題，提供易于確認的掩模套合的標記位置，可更高密度布線的半導(dǎo)體器件及其制造方法，以及對準方法。
本發(fā)明的另外目的在于，提供通過絕緣膜在導(dǎo)電性基底表面上形成導(dǎo)電薄膜的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，上述方法包括在前述絕緣膜上至少形成二個露出前述基底表面的開孔的步驟;在前述開孔中有選擇地沉積導(dǎo)電材料，在前述開孔內(nèi)至少形成一個臺階差部位的步驟;以及至少在前述絕緣膜上形成上述導(dǎo)電性薄膜的步驟，并且利用前述臺階差部位進行對準。
對于本發(fā)明，由于使用新CVD法的選擇金屬沉積技術(shù)，在導(dǎo)電體薄膜上準確地形成相應(yīng)于作為用于掩模套合標記的臺階差的形狀部分，當(dāng)刻制布線層圖形時，利用自動對準可在襯底表面如實地形成光致抗蝕(保護)圖形。
本發(fā)明進一步之目的在于，提供通過絕緣膜在導(dǎo)電性基底表面上形成導(dǎo)電性薄膜的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，上述方法包括在上述絕緣膜上形成露出前述基底表面的開孔的工藝步驟，在前述絕緣膜上形成未露出前述基底表面的臺階差部位的工藝步驟;在前述開孔內(nèi)，選擇沉積導(dǎo)電材料的工藝步驟，以及至少在前述絕緣膜上形成前述導(dǎo)電性薄膜的工藝步驟，并且利用前述臺階差進行對準。
在本發(fā)明中，由于應(yīng)用新CVD法的選擇金屬沉積技術(shù)，所以只在露出導(dǎo)電性基底表面的開孔內(nèi)有選擇地沉積導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電體。在該導(dǎo)電體上以及在基底表面的絕緣膜上形成了臺階差部位上面，采用非選擇性沉積法形成導(dǎo)電層，在由此所得到的導(dǎo)電體層上可形成對應(yīng)于臺階差部位的形狀。將上述部位作為掩模套合的標記，以此在對導(dǎo)電體層進行刻圖時，利用自動對準，可準確地形成理想的布線圖形。
圖1是用于說明已有技術(shù)對準標記形成法的示意圖。
圖2為利用W的CVD法的選擇沉積方式形成布線的情況。
圖3是說明根據(jù)本發(fā)明實施例1對準標記形成方法的示意圖。
圖4是說明實施例1半導(dǎo)體器件的制造方法示意圖。
圖5是說明實施例2對準標記形成方法的示意圖。
圖6是說明實施例3對準標記形成方法的示意圖。
圖7為說明實施例3半導(dǎo)體器件的制造方法示意圖。
圖8為說明實施例4對準標記形成方法的示意圖。
圖9為說明實施例4半導(dǎo)體器件的制造方法示意圖。
圖10為說明本發(fā)明實施例5半導(dǎo)體器件對準標記形成方法的示意圖。
圖11為說明實施例5半導(dǎo)體器件的制造方法示意圖。
圖12～圖15表示適用于本發(fā)明制造半導(dǎo)體器件方法適當(dāng)?shù)闹圃煅b置的一個例子。
圖16是說明本發(fā)明半導(dǎo)體器件的制造方法所形成布線層情況的剖切透視圖。
本發(fā)明包括半導(dǎo)體器件的制造方法以及對準方法。比如本發(fā)明通過絕緣膜在導(dǎo)電性基底表面上，形成導(dǎo)電薄膜的半導(dǎo)體器件的對準方法，其特征在于該方法包括至少形成二個在前述絕緣膜上露出基底表面的開孔的步驟;在前述開孔內(nèi)選擇沉積導(dǎo)電材料，填入二個開孔內(nèi)，在前述開孔中至少一個形成臺階差部位的步驟;以及至少在前述絕緣膜上形成前述導(dǎo)電性薄膜的步驟，并且利用前述臺階差部位進行對準，將前述導(dǎo)電性薄膜刻成圖形。
并且，本發(fā)明涉及具有通過絕緣膜在導(dǎo)電性基底表面上設(shè)置的布線層的半導(dǎo)體器件的制造方法，其工序包括至少形成二個在前述絕緣膜露出前述基底表面的開孔的步驟;在前述開孔內(nèi)有選擇地沉積導(dǎo)電材料，在前述開孔中至少有一個形成對準標記的臺階差部位的步驟;以及為在前述絕緣膜上構(gòu)成前述布線層而形成導(dǎo)電性薄膜的步驟，并且利用前述臺階部位作為對準標記進行掩模套合，將前述導(dǎo)電性薄膜刻成圖形，形成前述布線層。
本發(fā)明還涉及通過絕緣膜在導(dǎo)電性基底表面上形成導(dǎo)電性薄膜的半導(dǎo)體器件的對準方法，其工序包括在前述絕緣膜上形成露出前述基底表面的開孔的步驟;在前述絕緣膜上形成不露出前述基底表面的臺階差部位的步驟;在前述開孔內(nèi)，有選擇地沉積導(dǎo)電性材料的步驟;以及至少在前述絕緣膜上形成前述導(dǎo)電薄膜的步驟，并且利用前述臺階差部位進行對準。
本發(fā)明涉及具有通過絕緣膜在導(dǎo)電性基底表面上設(shè)置的布線層的半導(dǎo)體器件的制造方法，其工序包括在前述絕緣膜上形成露出前述基底表面的開孔的步驟;在前述絕緣膜上形成不露出前述基底表面的臺階差部分的步驟;在前述開孔內(nèi)有選擇地沉積導(dǎo)電材料的步驟;以及為在前述絕緣膜上構(gòu)成前述布線層而形成導(dǎo)電性薄膜的步驟，并且使用前述臺階差部位作為對準標記進行掩模套合，將前述導(dǎo)電薄膜刻成圖形，形成前述布線層。
實施本發(fā)明時，作為對準標記的臺階差的形狀和平面形狀無特別限制。進行對準時，為得到標記的檢測信號，最好有足夠的臺階差。該臺階差理想的是400 以上，最好為500 以上。
在作為布線的接觸孔內(nèi)，埋入金屬的方法，以使用氫化烷基鋁和氫氣的以鋁為主要成分的金屬膜的選擇沉積法最為合適。
實施例1下面參照附圖對本發(fā)明進行詳細說明。
圖3表示作為本發(fā)明理想實施范例的半導(dǎo)體器件。在圖3，標號1是由包括MOS晶體管、雙極晶體管等功能元件由硅構(gòu)成的半導(dǎo)體襯底。該半導(dǎo)體襯底1的主面上依次形成熱氧化膜2和層間絕緣膜4。在這些氧化膜2及絕緣膜4的預(yù)定位置上分別形成作為接觸孔5的開孔和作為對準的主標記部位6的臺階差部位。在該實施范例中，接觸孔5和主標記6有同樣的平面面積。在接觸孔5的底面，從其底面到半導(dǎo)體襯底1的內(nèi)部設(shè)置擴散層3。
在上述接觸孔5和主標記部位6的各自內(nèi)部，利用以后詳細說明的特別CVD法，選擇沉積A1等導(dǎo)電材料，形成比層間絕緣膜上表面還低的作為布線層7的導(dǎo)電體以及金屬膜8。并且在這些布線層7以及金屬膜8之上，和層間絕緣膜4之上，利用非選擇沉積法形成作為布線層9的導(dǎo)體層。
在這種布線構(gòu)造的半導(dǎo)體器件中，在主標記部位6上方的布線層9，形成與主標記部位6的形狀相對應(yīng)的臺階差部位的凹陷處10。該凹陷處10對于布線層9，用作進行刻圖時的自動掩模套合的標記。在該半導(dǎo)體器件上，由于在上述主標記部位6的位置能正確地形成凹陷處10，所以把該凹陷處10作為標記進行刻制圖形，以此可形成符合設(shè)計要求的布線。從而無刻圖誤差，可進行高密度布線。
作為電極引出線以及布線的金屬，可使用Al、Al-Si、Al-Cu、Al-Si-Ti、Al-Si-Cu等以Al為主要成分的合金，使用Cu、Mo、W或它們的合金。特別是為了引出電極，填充接觸孔時，最好采用下述的Al-CVD方法。作為絕緣膜最好采用依據(jù)CVD法和濺射法的氧化硅膜、氮化硅膜、PSG(磷硅玻璃)膜、BPSG(硼磷硅玻璃)膜等無機材料和聚酰亞胺等有機材料。為了在絕緣膜上構(gòu)成布線層，通過CVD法、濺射法等在全部絕緣膜上形成金屬膜后，利用光刻技術(shù)，按預(yù)定的布線形狀刻制圖形也可?；蛘哳A(yù)先暴露在等離子體，使絕緣膜表面的預(yù)定部分改性，只在改性了的表面部分選擇沉積金屬也行。
作為對準用的臺階差部位10，至少要有400 的臺階差，有500 以上更好。
參照圖4，對圖3中所示的半導(dǎo)體器件的制造方法予以說明。
首先，作為形成MOS晶體管或雙極晶體管等功能元件由硅構(gòu)成的導(dǎo)電性基底的半導(dǎo)體襯底1的表面上，利用CVD法形成由氧化硅構(gòu)成的熱氧化膜2(參照圖4A)。然后在該熱氧化膜2上施加保護膜圖形，把離子注入熱氧化膜2的預(yù)定部分后，進行熱處理，形成擴散層3(參照圖4B)。接著，在熱氧化膜2之上通過CVD法，沉積由氮化硅構(gòu)成的層間絕緣膜4，經(jīng)熱處理，在所得到的層間絕緣膜4上進行刻制接觸孔圖形后，形成腐蝕到半導(dǎo)體襯底1表面的接觸孔5和主標記部位6，接觸孔5當(dāng)作電極引出線開孔，主標記部位6當(dāng)作與接觸孔5等同平面面積的臺階差部位(參照圖4C)。進一步在得到的接觸孔5和主標記部位6中，用選擇沉積法沉積Al-Si，在接觸孔5形成作為第1布線層7的導(dǎo)電體，在主標記6形成作為金屬膜8的導(dǎo)電體。在該實施例，金屬膜8低于層間絕緣膜4的上表面時，停止成膜，金屬膜8做成相對于該金屬膜8周圍的層間絕緣膜4的凹陷狀，這樣構(gòu)成了臺階差部位。并且在該實施例中，接觸孔5和主標記部位6做成等同平面面積，所以第1布線層7和金屬膜8距襯底的高度是相同的(參照圖4D)。
在圖4D中，在半導(dǎo)體襯底1的整個表面進行RF等離子處理，使該表面改性后，利用CVD法，對整個面作非選擇性沉積Al-Si，形成作為第2布線層9的導(dǎo)電體層。其結(jié)果，主標記部位6的凹陷狀反映在第2布線層9上面，構(gòu)成作為臺階差的凹陷處10(參照圖3)。對凹陷處10，用激光照射，檢測其反射信號，進行自動掩模套合，實施刻制布線層圖形，在半導(dǎo)體襯底1上精確地形成所要求的布線圖形，這樣使半導(dǎo)體器件的成品率提高了。
對于上述實施范例，在層間絕緣膜4之上，形成第2布線層9前，也可根據(jù)SOG(spin on glass)法，把層間絕緣膜4表面生成的凹凸整平。即應(yīng)用旋涂機，以每分鐘3000～6000的轉(zhuǎn)速，涂敷硅烷醇化合物的有機溶劑(乙醇、酮等)溶液15-30秒。旋涂時，用異丙醇進行反沖洗(バツクリニス)。涂敷后，用電熱板在80～200℃環(huán)境中加熱1～3分鐘，將半導(dǎo)體作低溫烘焙。采用這樣的處理措施后，層間絕緣膜的表面的凹凸幾乎消失，由于得到整平了的表面，對于第2布線層，不會因凹凸產(chǎn)生電阻增大及臺階差的斷裂。
實施例2圖5是表示本發(fā)明的另一個適宜的實施例示意剖面圖。圖5所示的半導(dǎo)體器件與圖3所示的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)不同，作為主標記部位6的臺階差部位上的金屬膜11與用于引出電極的布線層12一起，高于層間絕緣膜4的上表面進行沉積構(gòu)成。從而，在該例子中，在主標記部位6上方的金屬膜11上面，形成相應(yīng)于主標記部位6形狀的凸起處13。該凸起處13和上述的凹陷處10一樣，可用作刻制布線層圖形的自動掩模套合基準的標記。
實施例3圖6表示本發(fā)明另一適宜實施例的示意剖面圖。在圖6所表示的半導(dǎo)體器件中，圖3及圖5各自所示的半導(dǎo)體器件是不同的，作為主標記部位14的臺階差部位平面面積要充分大于作為接觸孔5的開孔的平面面積。這是利用下面將說明的CVD法選擇金屬沉積技術(shù)特征的生長速度與孔徑尺寸的依賴關(guān)系，即使用選擇沉積技術(shù)，在大小不同的孔內(nèi)沉積金屬時，利用金屬在小孔內(nèi)的生長速率要比在大孔內(nèi)的快這一現(xiàn)象。因而，在該例中，主標記部位14的金屬生長速度比接觸孔5的生長速度要慢。
下面，參照圖7概述圖6所示的半導(dǎo)體器件的制造方法。
首先，在半導(dǎo)體襯底1的主面上形成熱氧化膜2后，利用保護膜圖形進行離子注入，熱處理，形成擴散層3。該工序與圖1所示的半導(dǎo)體器件工序(參照圖4A)是相同的(參照圖7A)。然后，在熱氧化膜2之上沉積層間絕緣膜4，熱處理后，通過刻制接觸孔圖形，并腐蝕，形成作為接觸孔5的開孔以及作為主標記部位14的臺階差部位。使主標記部位14的平面面積比接觸孔5的要大(參照圖7B)接著，通過選擇沉積法，把Al-Si沉積到接觸孔5和主標記部位14。當(dāng)在接觸孔5形成的用于引出電極的布線層的導(dǎo)電體15的上表面與層間絕緣膜4的上表面平齊時，停止該沉積工序。這時，根據(jù)上述選擇沉積法中的尺寸依賴關(guān)系，在主標記部位14內(nèi)沉積的金屬膜16未達到層間絕緣膜4的上表面，相對于絕緣膜4，金屬膜16成為凹陷狀(參照圖7C)。
據(jù)此，一方面在電極引出側(cè)接觸部位可謀求布線層15上表面和層間絕緣膜4的上表面平整化，另一方面，可把作為主標記部位14的臺階差部位的凹陷形狀，用于刻制布線圖形的掩模套合基準標記。
在該圖7C所示的半導(dǎo)體襯底1的整個表面上作RF等離子體處理，使其表面改性后，在整個表面上利用CVD法進行非選擇性沉積Al-Si，形成第2層布線層9。結(jié)果，主標記部位14的凹陷形狀反映在布線層9之上，形成作為臺階差的凹陷處17(參照圖6)。在這樣形成的半導(dǎo)體器件中，對凹陷處17照射激光，檢測其反射信號，進行自動掩模套合，刻制布線層的圖形。與圖3所示的凹陷處10一樣，在半導(dǎo)體襯底1上可精確地形成所要求的布線圖形。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于使用依據(jù)新的CVD方法的選擇金屬沉積技術(shù)，在導(dǎo)電性薄膜上面精確地形成對應(yīng)于作為掩模套合標記用的臺階差部位形狀的部分，所以當(dāng)進行刻制布線層圖形時，利用自動對準可在襯底表面如實地形成保護膜圖形。
實施例4下面參照附圖對本發(fā)明作詳細說明。
圖8表示本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的實施范例。圖8中，標號1是作為導(dǎo)電性基底的半導(dǎo)體襯底，該襯底是由形成MOS晶體管、雙極晶體管等功能元件的硅等構(gòu)成的。在該半導(dǎo)體襯底1主面的預(yù)定區(qū)域上，形成厚的場氧化膜22和薄的柵氧化膜2。在該柵氧化膜2的預(yù)定區(qū)域下面的半導(dǎo)體襯底1上設(shè)置擴散層3。并且在場氧化膜22及柵氧化膜2之上，形成預(yù)定厚度的層間絕緣膜4。在上述擴散層3的上方，設(shè)置作為接觸孔8的開孔。該開孔是對柵氧化膜2以及層間絕緣膜4進行腐蝕等，露出擴散層3上部形成的。再在層間絕緣膜4以及其下側(cè)的場氧化膜22預(yù)定的區(qū)域內(nèi)，設(shè)置作為主標記部位6的臺階差部位，該臺階差部位是從層間絕緣膜4上面腐蝕至場氧化膜22內(nèi)部而形成的。
在上述接觸孔8內(nèi)形成用于電極引出線的作為第1布線層7的導(dǎo)電體。該部位利用后面將詳細說明的特別CVD法選擇沉積Al等導(dǎo)電材料構(gòu)成，且使得層間絕緣膜4的上面平齊。該第1布線層7和層間絕緣膜4之上以及主標記部位6內(nèi)，通過非選擇沉積法沉積導(dǎo)電材料，形成作為第2布線層9的導(dǎo)電體層。
對于這種半導(dǎo)體器件布線結(jié)構(gòu)，在主標記部位上方的第2布線層9，形成作為臺階差的凹陷處10，該部分對應(yīng)于層間絕緣膜4和主標記部位6的凹陷形狀。該凹陷處10用于對第2布線層9進行刻制圖形時的自動掩模套合的標記。在該半導(dǎo)體器件中，由于在上述主標記部位6的位置上，精確形成凹陷處10，所以才可能將該凹陷處10作為標記，進行刻制符合設(shè)計的圖形，以構(gòu)成布線。因不產(chǎn)生刻圖偏差，所以可高密度布線。
作為電極引出線和布線用的金屬可采用諸如Al、Al-Si、Al-Cu、Al-Si-Ti、Al-Ti、Al-Si-Cu等以Al為主要成分的合金、Cu、Mo、W或其合金。特別是在填充電極引出線的接觸孔內(nèi)部時，最好使用后述的Al-CVD法。作為絕緣膜，最好使用依據(jù)CVD法和濺射法的氧化硅膜、氮化硅膜、PSG(磷硅玻璃)膜、BPSG(硼磷硅玻璃)膜等無機材料和聚酰亞胺等有機材料。為了在絕緣膜上形成布線層，通過CVD法、濺射法等，在整個絕緣膜上構(gòu)成金屬層之后，也可利用光刻工藝將金屬層刻成預(yù)定的布線形狀，或預(yù)先暴露在等離子體內(nèi)使絕緣膜表面預(yù)定部分改性，只在改性了的表面部分選擇沉積金屬也可。
作為對準標記用的臺階差，至少在400 以上較為理想，500 以上更好。
參照圖9，說明圖8所示的半導(dǎo)體器件的制造方法。
首先在擬形成MOS晶體管或雙極晶體管等功能元件的硅構(gòu)成的半導(dǎo)體襯底1表面，依照CVD法形成氧化硅構(gòu)成的熱氧化膜1′。在該熱氧化膜1′上預(yù)定的區(qū)域，通過CVD法再沉積氮化硅膜等耐氧化性強的膜1″(參照圖9A)。
接著，對上述熱氧化膜1′以及耐氧化性膜1″作選擇氧化，形成場氧化膜22的區(qū)域。并且除掉耐氧化性膜1″以及其下側(cè)的熱氧化膜1′，再次氧化形成柵氧化膜的層2。在該柵氧化膜2的預(yù)定區(qū)域，再沉積多硅膜(圖中未示出)后，通過保護膜圖形注入離子，熱處理形成擴散層3(參照圖9B)。然后在半導(dǎo)體襯底1的整個表面層，利用CVD法形成層間絕緣膜4(參照圖9C)。該層間絕緣膜4是為上述的多硅膜和后述的Al-CVD膜的電絕緣而設(shè)置的。
在層間絕緣膜4上刻制接觸圖形，使作為電極引出線用開孔的接觸孔8成孔，同時形成作為主標記的達到場氧化膜22內(nèi)部的臺階差部位(參照圖9D)。
再利用前述選擇沉積法，在接觸孔8內(nèi)選擇沉積Al-Si，形成作為第1布線層7的導(dǎo)電體，并且要使其上表面與層間絕緣膜4的上表面平齊(參照圖9E)。
再次，在半導(dǎo)體襯底1整個表面層，即第1布線層7和層間絕緣膜4之上以及主標記部位6內(nèi)部作RF等離子處理后，利用濺射法等作非選擇Al-Si沉積，進行刻制圖形，形成作為第2布線層9的導(dǎo)電體層(參照圖8)。其結(jié)果，作為主標記部位6的臺階差部位的凹陷形狀反映在第2布線層9上面，構(gòu)成作為臺階差的凹陷處10。用激光照射該凹陷處10，檢測其反射信號，進行自動掩模套合。在第2布線層9上實施刻制布線層圖形，可在半導(dǎo)體襯底1上精確形成所要求的布線圖形。
對于上述實施范例，在層間絕緣膜4上形成第2布線層9前，在層間絕緣膜4表面產(chǎn)生的凸凹也可用SOG(Spin on glass)法整平。即用旋涂機，以每分鐘3000～6000的轉(zhuǎn)速涂敷硅烷醇化合物的有機溶劑(乙醇、酮)溶液。旋涂時，作異丙醇的反沖洗(バツクリニス)。然后用電熱板加熱半導(dǎo)體襯底，溫度為80～200℃進行低溫烘焙1～3分鐘。經(jīng)此處理過的層間絕緣膜表面的凸凹幾乎消失，由于獲得平整的表面，所以第2布線層不產(chǎn)生因凸凹發(fā)生電阻增大和臺階差的斷裂。
實施例5圖10是表示本發(fā)明另一個適宜的實施例的示意剖面圖。在圖10顯示的半導(dǎo)體器件中，標號12是形成例如雙極型元件等功能元件的硅等半導(dǎo)體襯底。在這個半導(dǎo)體襯底12的主面上，形成氧化膜13，在該氧化膜13的預(yù)定的區(qū)域下側(cè)的半導(dǎo)體襯底12中，形成擴散層14，在該擴散層14的上方，對氧化膜13進行蝕刻等，以便使擴散層14上部露出來。這樣就設(shè)置了作為接觸孔15的開孔。該接觸孔15由下方部15a和上方部15b構(gòu)成，下方部15a以擴散層14的上表面作為底面，而且平面面積較小，上方部15b的底面包含了下方部15a的上緣，而且平面面積較大。并且，在氧化膜13的預(yù)定的區(qū)域中，從氧化膜13的上表面蝕刻至內(nèi)部，設(shè)置作為主標記部位16的臺階差。
在上述接觸孔15下方部15a的內(nèi)部，直至下方部15a的上緣，采用上述擇沉積法，選擇地沉積Al等導(dǎo)電材料，作引出電極用的第1布線層17。在該第1布線層17和氧化膜13上，以及主標記部位16的內(nèi)部，采用非選擇沉積法，沉積導(dǎo)電材料，設(shè)置作為第2布線層18的導(dǎo)電體層。在該第2布線層18的上面，接觸孔15的上方和主標記部位16的上方分別形成凹陷部分19和凹陷處20。因而，在本例中作為與主標記部位16的形狀相對應(yīng)的臺階差的凹陷處20，在刻制布線層圖形中，能用作自動掩模套合的基準標記。
這里，參考圖11概略說明圖10所示半導(dǎo)體器件的制造方法。
首先，在半導(dǎo)體襯底12的主面上，按預(yù)定的膜厚形成氧化膜13之后，在氧化膜13預(yù)定的區(qū)域施加光致抗蝕劑(保護膜)圖形，進行離子注入，熱處理，從而形成擴散層14。其次在氧化膜13上施加第1接觸孔圖形，在擴散層14上方的氧化膜13的預(yù)定區(qū)域形成淺的開口部位15c，同時在氧化膜13的預(yù)定區(qū)域，開出具有與開口部位15c相同深度的凹陷部位16(參見圖11A)。
然后，在氧化膜13上施加第2接觸孔圖形，對開口部位15c的底面進行蝕刻，使擴散層14露出來，形成作為接觸孔15的下方部位15a的開口，同時對開口部位15c的開口邊緣的周圍進行蝕刻，形成接觸孔15的上方部15b(參見圖11B)。
隨后，采用前述的選擇沉積法，在接觸孔15的下方部位15a內(nèi)選擇地沉積Al-Si，形成作為第1布線層17的導(dǎo)電體，使其上表面與上方部位15b的底面平齊(參見圖11C)。
之后，對半導(dǎo)體襯底12的整個表面層，即氧化膜13和接觸孔15內(nèi)的第1布線層17以及主標記部位16的內(nèi)部施加RF等離子處理，在被處理部分采用濺射等方法非擇地沉積Al-Si，進行刻圖，從而形成作為第2布線層18的導(dǎo)電體層(參見圖10)。其結(jié)果，在第2布線層18上面反映出作為主標記部位16的臺階差的凹陷形狀，形成作為臺階差的凹陷處20。對該凹陷處照射激光，檢測其反射信號，可進行自動掩模套合，在第2布線層18施行刻制布線層圖形時，就能在半導(dǎo)體襯底12上精確地形成期望的布線圖形。
如上所述，對于實施例4、5，若按新的CVD法，采用選擇金屬沉積技術(shù)，可以只在露出導(dǎo)電性的基底表面的開孔處選擇地沉積導(dǎo)電材料，從而形成導(dǎo)電體。在該導(dǎo)電體的上表面及基底表面的絕緣膜處形成臺階差部位上，由于采用了非選擇沉積法形成導(dǎo)電體層，這樣就能在所得到的導(dǎo)電體層上形成與臺階差部位形狀相對應(yīng)的部分。把該部分用作掩模套合的標記，就可以使導(dǎo)電體刻圖時，例如用自動對準，如實地形成期望形狀的布線圖形。
隨后，說明在上述的實施1～5中，適合于形成布線層的成膜方法。
該方法是為了形成上述構(gòu)成的電極適于向開孔填入導(dǎo)電材的成膜方法，其沉積速度與開孔內(nèi)的基底面積有依賴關(guān)系。
所謂適于本發(fā)明的成膜方法，就是使用氫化烷基鋁氣體和氫氣，由電子供給性襯底上的表面反應(yīng)，而形成沉積膜(以下稱Al-CVD法)。
特別是氫化甲基鋁(MMAH)或者氫化二甲基鋁(DMAH)作為原料氣體，使用H2氣體作為反應(yīng)氣體，在這些混合氣體下，對襯底表面加熱，就能產(chǎn)生優(yōu)質(zhì)的Al沉積膜。這里，在選擇沉積Al時，采用直接加熱或間接加熱，使襯底表面溫度最好保持在氫化烷基鋁的分解溫度以上，450℃以下，更好的是260℃以上，440℃以下。
作為使襯底處于上述溫度范圍的加熱方法，有直接加熱和間接加熱，但如果用直接加熱使襯底保持在上述溫度，則能夠以高的沉積速度形成優(yōu)質(zhì)的Al膜。例如，Al膜形成的襯底表面溫度處于較好的溫度范圍260～440℃時，甚至能以比電阻加熱的情況還高的沉積速度3000～5000
/分鐘獲得優(yōu)質(zhì)膜。作為這種直接加熱(從加熱裝置來的能量被直接傳送給襯底，加熱襯底本身)的方法，例如可以是鹵素?zé)?、氙燈等燈加熱。此外，間接加熱方法有電阻加熱，是利用襯底支持部件中設(shè)置的發(fā)熱體進行制造的，該襯底支持部件是配置在為了支持擬形成沉積膜的襯底的沉積膜形成用空間里的。
根據(jù)該方法，如果CVD法適用于電子供給性表面部分和非電子供給性表面部分共存的襯底，僅在電子供給性襯底表面部分具有良好的選擇性的條件下，能形成Al的單晶體。作為電極/布線材料的Al具有一切所期望的優(yōu)良特性。即小丘發(fā)生概率低、合金尖峰發(fā)生概率也低。
這樣，在由作為電子供給性表面的半導(dǎo)體和導(dǎo)電體組成的表面上，可選擇地形成優(yōu)質(zhì)Al，并且Al的結(jié)晶性良好，因而由與襯底的硅等的共晶反應(yīng)而形成的合金尖峰幾乎觀察不到或者認為極少。因而，用以作為半導(dǎo)體器件的電極的情況下，超越了傳統(tǒng)所認為的Al電極的概念，獲得了已有技術(shù)所不能預(yù)料的效果。
雖然做了如上的在電子供給性表面例如絕緣膜形成的露出半導(dǎo)體襯底表面的開孔內(nèi)，沉積的Al呈單晶體構(gòu)造的說明，但如果采用這種Al-CVD法，也能選擇地沉積以Al為主要成分的金屬膜，并且也具有優(yōu)良的膜質(zhì)量。
例如，在氫化烷基鋁氣體和氫氣中添加SiH4、Si2H6、Si3H3、Si(CH3)4、SiCl4、SiH2Cl2、SiHCl3等含Si原子的氣體，TiCl4、TiBr4、Ti(CH3)4等含Ti原子的氣體，及雙乙酰丙酮銅Cu(C5H7O2)2、雙二叔戊酰甲烷銅Cu(C11H17O2)2、雙六氟乙酰丙酮銅Cu(C5HF6O2)2等含Cu原子的氣體，將其適當(dāng)組合，作為混合氣體氣氛，選擇地沉積例如Al-Si、Al-Ti、Al-Cu、Al-Si-Ti、Al-Si-Cu等導(dǎo)電材料，從而也可以形成電極。
此外，上述的Al-CVD法是一種良好的選擇性的成膜方法，而且為了使沉積膜表面性能良好，在第二沉積工序中應(yīng)用非選擇性的成膜方法，在上述選擇沉積的Al膜和作為絕緣膜的SiO2等上面，形成Al或者以Al為主要成分的金屬膜，由此，可以獲得作為半導(dǎo)體器件布線的通用性高的良好金屬膜。
所說的金屬膜具體如下，選擇沉積的Al、Al-Si、Al-Ti、Al-Cu、Al-Si-Ti、Al-Si-Cu和非選擇沉積的Al、Al-Si、Al-Ti、Al-Cu、Al-Si-Ti、Al-Si-Cu的組合等。
用于非選擇沉積的成膜方法，除了上述的Al-CVD法以外，還有CVD法或濺射法等。
(成膜裝置)以下，對適用于本發(fā)明的電極形成的成膜裝置進行說明。
圖12～圖14示意地顯示了適用于上述成膜方法的適宜的金屬膜連續(xù)形成裝置。
該金屬膜連續(xù)形成裝置，如圖12所示，由借助閘閥310a～310f，在隔斷外部氣體的情況下，可以連通而相互連接的裝載鎖氣室311、作為第1成膜室的CVD、反應(yīng)室312、RF腐蝕室313、作為第2成膜室的濺射室314以及裝載鎖氣室315構(gòu)成。由排氣系統(tǒng)316a～316e分別對各室排氣使其能夠減壓。前述的裝載鎖氣室311是為了提高生產(chǎn)效率，將沉積處理前的襯底的氣氛抽出后，置換成H2氣氣氛的室。接下來的CVD反應(yīng)室312是用來在襯底處于常壓或減壓條件下，采用上述Al-CVD法，進行選擇沉積的室，其內(nèi)部設(shè)置了具有至少能把擬成膜的襯底表面加熱到200～450℃的范圍的發(fā)熱電阻317的襯底支架318。同時，在起泡器319-1內(nèi)，用氫氣使氫化烷基鋁等原料氣體起泡氣化，并通過CVD用的原料氣體導(dǎo)入管道319導(dǎo)入室內(nèi)，并且作為反應(yīng)氣體的氫氣也由氣體管道319′導(dǎo)入。RF腐蝕室313是用來在Ar氣氣氛中，對選擇沉積后的襯底表面進行清洗(腐蝕)的室，其內(nèi)部設(shè)有能把襯底至少加熱到100～250℃范圍的襯底支架320和RF腐蝕電極管線321，同時接有Ar氣供給管道322。濺射室314是用來在Ar氣氣氛中，通過濺射在襯底表面上進行非選擇地沉積金屬膜的室，內(nèi)部設(shè)有至少能加熱至200～250℃范圍的襯底支架323，并安裝了濺射靶材324a的靶電極324，同時接有Ar氣供給管道325。最后的裝載鎖氣室315是用來對完成金屬膜沉積之后的襯底在取出到外部大氣之前，用H2氣置換氣氛，進行調(diào)整的室。
圖13顯示了適用于上述成膜方法的適宜的金屬膜連續(xù)形成裝置的又一構(gòu)成實例。與前述圖12相同的部分用同一標號表示。圖13的裝置與圖12的裝置之差異在于，設(shè)置鹵素?zé)?30作為直接加熱手段，對襯底表面直接加熱。為此，在襯底支架312上配置了能使襯底保持在浮起狀態(tài)的卡爪331。
按照此種構(gòu)成對襯底表面直接加熱，可以像前述那樣更加提高沉積速度。
上述構(gòu)成的金屬膜連續(xù)形成裝置實際如圖14所示，作為中繼室的傳送室326實質(zhì)上等價于把前述的裝載鎖氣室311、CVD反應(yīng)室312、RF腐蝕室313、濺射室314以及裝載鎖氣室315互相連接的構(gòu)造。在此種構(gòu)成中，裝載鎖氣室311兼做裝載鎖氣室315用。如圖所示，所說的傳送室326內(nèi)設(shè)置了臂327作為傳送裝置，即能在AA方向正反向旋轉(zhuǎn)，又能在BB方向伸縮。利用該臂327，能在不暴露于外部氣體的情況下，按照圖15箭頭所示方向，根據(jù)工序，依次地把襯底從裝載鎖氣室311連續(xù)地傳送至CVD室312、RF腐蝕室313、濺射室314以及裝載鎖氣室315。(成膜工序)對用于形成本發(fā)明的電極和布線的成膜工序予以說明。
圖16是說明用于形成本發(fā)明的電極和布線的成膜工序的示意透視圖。
首先做概略說明，準備好在絕緣膜上形成了開孔的半導(dǎo)體襯底，將該襯底配置在成膜室內(nèi)，使其表面保持在例如260～450℃，采用在作為氫化烷基鋁的DMAH氣體和氫氣的混合氣氛中的熱CVD法，在開孔內(nèi)露出的半導(dǎo)體部分，選擇地沉積Al。當(dāng)然，也可以如前述那樣導(dǎo)入含Si原子等的氣體，選擇沉積Al-Si等以Al為主要成分的金屬膜。隨后，在選擇沉積的Al和絕緣膜上，采用濺射法非選擇地形成Al或以Al為主要成分的金屬膜。之后，如果對非選擇沉積的金屬膜按期望的布線形狀進行刻圖處理，則可形成電極和布線。
以下參照圖13～圖16做具體說明。首先，準備好襯底，例如在單晶Si片上形成設(shè)有各種口徑開孔的絕緣膜備作襯底。
圖16A是顯示該襯底的一部分的示意圖。其中401是作為傳導(dǎo)性襯底的單晶硅襯底，402是作為絕緣膜(層)的熱氧化硅膜。403和404是開孔(露出部位)，口徑各不相同。
在襯底上，構(gòu)成電極的第1布線層，如果按圖13所示進行，則Al的成膜過程如下。
首先，在裝載鎖氣室311內(nèi)配置上述襯底。按前述那樣，把氫氣導(dǎo)入裝載鎖氣室311，使之處于氫氣氣氛中。然后，用排氣系統(tǒng)316b把反應(yīng)室312排氣至大約1×10-8Torr。但是，即使反應(yīng)室312的真空度劣于1×10-8Torr也能形成Al膜。
隨后，通過氣體管道319供給經(jīng)起泡了的DMAH氣體。采用H2氣作DMAH管道中的攜帶氣體。
第2氣體管道319′用于反應(yīng)氣體H2，H2從第2氣體管道流過，通過控制慢滲漏閥的開口(未示出)，將反應(yīng)室312內(nèi)的壓力控制在預(yù)定值。在此情況下，典型的壓力最好是大約1.5Torr。通過DMAH管道把DMAH導(dǎo)入反應(yīng)室內(nèi)。使總壓強大約在1.5Torr，DMAH分壓強大約在5.0×10-3Torr。然后，使鹵素?zé)?30通電，對晶片直接加熱。這樣可以選擇沉積Al。
經(jīng)過預(yù)定的沉積時間后，立即停止供給DMAH。在這個過程中，沉積Al膜的預(yù)定沉積時間是指，Si(單晶硅襯底1)上的Al膜厚度變到等于SiO2(熱氧化硅膜2)膜的厚度所需的時間，可預(yù)先通過實驗求出。
此時通過直接加熱的襯底表面的溫度大約在270℃。隨著至此的工序，如圖16B所示，Al膜405選擇地沉積在開孔內(nèi)。
以上稱為在接觸孔內(nèi)形成電極的第1成膜工序。
在上述第1成膜工序之后，用排氣系統(tǒng)316b把CVD反應(yīng)室312排氣至5×10-3Torr以下的真空度。同時把RF腐蝕室313排氣至5×10-6Torr以下。在確認兩室已達到上進真空度之后，打開閘閥310c，用傳送裝置把襯底從CVD反應(yīng)室312傳到RF腐蝕室313，然后關(guān)閉閘閥310c。在把襯底傳送到RF腐蝕室313之后，用排氣系統(tǒng)316c把RF腐蝕室313排氣至10-6Torr以下的真空度。之后，由RF腐蝕用的氬氣供給管道322供給氬氣，使RF腐蝕室313的氬氣氣氛保持10-1～10-3Torr。使RF腐蝕用的襯底支架320保持在200℃，給RF腐蝕用的電極321施加60秒的100WRF電能，激發(fā)RF腐蝕室313內(nèi)的氬氣放電。由此，可用氬離子腐蝕襯底的表面，除掉CVD沉積膜上不需要的表面層。此時的腐蝕深度大約相當(dāng)于氧化物的厚度100 。這里，CVD沉積膜的表面腐蝕是在RF腐蝕室內(nèi)進行的，但是由于在真空中傳送的襯底其CVD膜表面層不接觸大氣中的氧，即使不進行RF腐蝕也是可行的。此時，當(dāng)CVD反應(yīng)室312與濺射室314之間的溫差較大時，RF腐蝕室313起著在短時間內(nèi)實現(xiàn)溫度變化室的作用。
在RF腐蝕室313內(nèi)，完成RF腐蝕后，停止氬氣的進氣，并排出RF腐蝕室313內(nèi)的氬氣。把RF腐蝕室313排氣至5×10-6Torr，并把濺射室314排氣至5×10-6Torr以下之后，打開閘閥310d。隨后，把襯底用傳送裝置從RF腐蝕室313傳送到濺射室314，并關(guān)閉閘閥310d。
在襯底傳送到濺射室314之后，使濺射室314處于與RF腐蝕室313同樣的10-1～10-3Torr的氬氣氣氛，把裝載著襯底的襯底支架323的溫度設(shè)置在200～250℃。然后，用5～10KW的直流電能使氬氣放電，用氬離子刮削Al或Al-Si(Si∶0.5%)等靶金屬，以10000 /分的沉積速度在襯底上形成Al或Al-Si等金屬膜。此工序是非選擇的沉積工序，被稱為形成與電極連接的布線的第2成膜工序。
在襯底上形成大約5000 的金屬膜之后，停止供給氬氣，并停止施加直流電能。把裝載鎖氣室311排氣到5×10-3Torr以下，然后打開閘閥310e，移動襯底。關(guān)閉閘閥310e，然后向裝載鎖氣室311供給氮氣，直至達到大氣壓，打開閘閥310f，從設(shè)備中取出襯底。
根據(jù)上述的第2Al膜沉積工序，可如圖16C所示，在SiO2膜402上形成Al膜406。
而且，可以將Al膜406刻成圖16D所示的圖形，得到所期望的布線形狀。
(實驗例)以下將介紹上述Al-CVD法的優(yōu)點所在，并根據(jù)實驗結(jié)果說明由此如何使開孔內(nèi)沉積的Al成為優(yōu)質(zhì)膜。
首先，對作為襯底的N型單晶硅片表面進行熱氧化，形成8000 的SiO2，并刻出從0.25μm×0.25μm到100μm×100μm的各種口徑的開孔，使基底的Si單晶露出，這樣的硅片準備多個。(樣品1-1)采用以下條件的Al-CVD法形成Al膜，以DMAH作為原料氣體，以氫作為反應(yīng)氣體，總壓強為1.5Torr，DMAH分壓強為5.0×10-3Torr，在這樣的共同條件下，控制施加給鹵素?zé)舻碾娔苓M行直接加熱，使襯底表面溫度保持在200℃～490℃范圍，進行成膜。
其結(jié)果如表1所示。
由表1可知，當(dāng)直接加熱的襯底表面溫度在260℃以上時，Al以3000～5000 /分的高沉積速度選擇地沉積在開孔內(nèi)。
當(dāng)襯底表面溫度處于260～440℃范圍內(nèi)時，對開孔內(nèi)的Al膜特性進行測驗，未發(fā)現(xiàn)含有碳，電阻率為2.8～3.4μΩcm，反射率為90-95%，1μm以上小丘密度為0～10cm-2，幾乎不產(chǎn)生尖峰(0.15μm結(jié)的損壞率)，可見其特性良好。
相反，當(dāng)襯底表面溫度為200～250℃時，膜的質(zhì)量比260～440℃時要差一些，但與已有技術(shù)的膜相比還是相當(dāng)好的。而且1000～1500 /分的沉積速度絕不能說是十分地高，7-10片/小時的生產(chǎn)效率也比較低的。
當(dāng)襯底表面溫度為450℃以上時，反射率為60%以下，1μm以上的小丘密度為10～104cm-2，合金尖峰產(chǎn)生為0～30%，因而開孔內(nèi)Al膜的特性低劣。
以下將說明上述方法是如何能適用于接觸孔或通孔這類開孔的。
即它可較好地適用于由下述材料構(gòu)成的接觸孔/通孔的結(jié)構(gòu)。
在與樣品1-1上形成Al膜時相同的條件下，在具有如下所述結(jié)構(gòu)的襯底(樣品)上形成Al膜。
在作為第1襯底表面材料的單晶硅上，用CVD法形成氧化硅膜作為第2襯底表面材料，由光刻工序進行刻圖，使單晶硅表面部分地露出來。
此時，熱氧化SiO2膜的厚度為8000 ，單晶硅的露出部位即開口的尺寸為0.25μm×0.25μm～100μm×100μm。這樣就制得了樣品1-2(下文把樣品寫成“CVD SiO2(以下略為SiO2)/單晶硅”)。
樣品1-3是用常壓CVD形成的摻硼氧化膜(以下略為BSG)/單晶硅。
樣品1-4是用常壓CVD形成的摻磷氧化膜(以下略為PSG)/單晶硅。
樣品1-5是用常壓CVD形成的摻硼和摻磷的氧化膜(以下略為BPSG)/單晶硅。
樣品1-6是用等離子CVD形成的氮化膜(以下略為P-SiN)/單晶硅。
樣品1-7是熱氮化膜(以下略為T-SiN)/單晶硅。
樣品1-8是用減壓CVD形成的氮化膜(以下略為LP-SiN)/單晶硅。
樣品1-9是用ECR設(shè)備形成的氮化膜(以下略為ECR-SiN)/單晶硅。
以下是第1襯底表面材料(18種)與第2襯底表面材料(9種)的全組合而構(gòu)成的樣品1-11～179(注其中缺樣品號1-10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160及170)。作為第1襯底表面材料的有單晶硅(單晶Si)、多晶硅(多晶Si)、非晶硅(非晶Si)、鎢(W)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、硅化鎢(WSi)、硅化鈦(TiSi)、鋁(Al)、鋁一硅(Al-Si)、鋁一鈦(Al-Ti)、氮化鈦(Ti-N)、銅(Cu)、鋁-硅-銅(Al-Si-Cu)、鋁-鈀(Al-Pd)、鈦(Ti)、硅化鉬(Mo-Si)以及硅化鉭(Ta-Si)。作為第2襯底表面材料的有T-SiO2、SiO2、BSG、PSG、BPSG、P-SiN、T-SiN、LP-SiN以及ECR-SiN。以上所有樣品均可形成與樣品1-1相比的良好Al膜。
接著，在具有如上所述選擇沉積Al的襯底上，用濺射方法選擇地地沉積Al，然后刻圖。
結(jié)果，由于開孔內(nèi)Al膜的表面特性良好，由濺射方法得到的Al膜和開孔內(nèi)選擇沉積的Al膜，在電學(xué)和機械兩方面均能經(jīng)久保持高的接觸狀態(tài)。
權(quán)利要求
1.一種通過絕緣膜在導(dǎo)電性基底表面上形成導(dǎo)電性薄膜的半導(dǎo)體器件的對準方法，其特征在于包括在所述絕緣膜上至少形成兩個露出所述基底表面的開孔的步驟；在所述開孔內(nèi)選擇地沉積導(dǎo)電材料，在所述開孔中的至少一個內(nèi)形成臺階差的步驟；以及至少在所述絕緣膜上形成所述導(dǎo)電性薄膜的步驟并且利用所述臺階差進行對準。
2.一種具有通過絕緣膜在導(dǎo)電性基底表面上設(shè)置的布線層的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于包括在所述絕緣膜上至少形成兩個露出所述基底表面的開孔的步驟;在所述開孔內(nèi)選擇地沉積導(dǎo)電材料，在所述開孔中的至少一個內(nèi)形成臺階差的步驟;用于至少在所述絕緣膜上形成所述布線層的導(dǎo)電性薄膜的形成步驟;以及對所述導(dǎo)電性薄膜進行刻圖形成所述布線層的步驟。
3.一種根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述形成開孔的步驟中，把為了形成臺階差的開孔的平面面積做成不同于其它開孔的平面面積。
4.一種根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，當(dāng)其它開孔內(nèi)形成的導(dǎo)電體與絕緣膜平齊時，即停止向用于形成所述臺階差的開孔內(nèi)沉積導(dǎo)電材料。
5.一種根據(jù)權(quán)利要求2、3、4中任一項的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，通過采用氫化烷基鋁氣體和氫氣的CVD方法，向所述開孔沉積導(dǎo)電材料。
6.一種根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述的氫化烷基鋁是氫化二甲基鋁。
7.一種通過絕緣膜在導(dǎo)電性基底表面上形成導(dǎo)電性薄膜的半導(dǎo)體器件的對準方法，其特征在于包括在所述絕緣膜上形成露出所述基底表面的開孔的步驟;在所述絕緣膜上形成不露出所述基底表面的臺階差的步驟，以及在所述開孔內(nèi)選擇地沉積導(dǎo)電材料的步驟;至少在所述絕緣膜上形成所述導(dǎo)電性薄膜的步驟;并且利用所述臺階差進行對準。
8.一種具有通過絕緣膜在導(dǎo)電性基底表面上設(shè)置的布線層的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于包括在所述絕緣膜上形成露出所述基底表面的開孔的步驟;在所述絕緣膜上形成不露出所述基底表面的臺階差的步驟;在所述開孔內(nèi)選擇地沉積導(dǎo)電材料的步驟;為了至少在所述絕緣膜上形成所述布線層而形成導(dǎo)電薄膜的步驟;以及對所述導(dǎo)電性薄膜進行刻圖，形成所述布線層的步驟。
9.一種根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，通過采用氫化烷基鋁氣體和氫氣的CVD方法，形成所述布線層。
10.一種根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述氫化烷基鋁是氫化二甲基鋁。
全文摘要
一種通過絕緣膜在導(dǎo)電性基底表面上形成導(dǎo)電性薄膜的半導(dǎo)體器件的對準方法，其特征在于包括在所述絕緣膜上至少形成兩個露出所述基底表面的開孔的步驟；在所述開孔內(nèi)選擇地沉積導(dǎo)電材料，在所述開孔中至少一個內(nèi)形成臺階差的步驟；以及至少在所述絕緣膜上形成所述導(dǎo)電性薄膜的步驟；并且利用所述臺階差進行對準。
文檔編號H01L23/544GK1061872SQ91105290
公開日1992年6月10日 申請日期1991年6月29日 優(yōu)先權(quán)日1990年6月29日
發(fā)明者岡部隆彥, 門間玄三, 讓原浩 申請人:佳能株式會社