技術(shù)編號(hào):6800198
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制造方法,具體地說(shuō),涉及到一種,其中,電容器的有效面積能達(dá)到最大,而不必?cái)U(kuò)大存儲(chǔ)單元的面積。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中,已作了最大的努力來(lái)增加在一塊芯片中存儲(chǔ)單元的數(shù)量。為了達(dá)到這一目標(biāo),重要的是要使得在有限的芯片表面內(nèi),由大量存儲(chǔ)單元所形成的存儲(chǔ)單元陣列的面積為最小。在實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)單元面積為最小時(shí),已經(jīng)熟知一個(gè)DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的單個(gè)單元具有一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器這一事實(shí)。因?yàn)樵谏鲜龃鎯?chǔ)單元中電容器占據(jù)了大部分面積,隨著高度...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。