技術(shù)編號:6790971
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及TFT基板領(lǐng)域,特別是涉及一種防靜電TFT基板的制作方法。背景技術(shù)目前,防靜電TFT (Thin Film Transistor,薄膜場效應(yīng)晶體管)基板的制作方法為采用真空磁控濺射鍍膜法在TFT基板上鍍一層防靜電的ITO (Indium Tin Oxides,納米銦錫金屬氧化物)膜層,從而將生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的靜電迅速的從基板表面流出,以防止靜電的聚集,防止ESD (靜電釋放)對TFT基板的損壞。但是,真空磁控濺射鍍膜法存在以下缺點1、鍍膜時的真空度...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。