專利名稱：防靜電tft基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及TFT基板領(lǐng)域，特別是涉及一種防靜電TFT基板的制作方法。
背景技術(shù)：
目前,防靜電TFT (Thin Film Transistor,薄膜場效應(yīng)晶體管)基板的制作方法為:采用真空磁控濺射鍍膜法在TFT基板上鍍一層防靜電的ITO (Indium Tin Oxides，納米銦錫金屬氧化物)膜層，從而將生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的靜電迅速的從基板表面流出，以防止靜電的聚集，防止ESD (靜電釋放)對TFT基板的損壞。但是，真空磁控濺射鍍膜法存在以下缺點:1、鍍膜時的真空度要求較難控制，TFT基板破裂的風(fēng)險較大；2、真空磁控濺射設(shè)備較復(fù)雜，投入的成本較大；3、濺射時產(chǎn)生的電子輻射對人體影響較大。

發(fā)明內(nèi)容
基于此，有必要提供一種對人體影響較小、TFT基板破裂風(fēng)險較小的防靜電TFT基板的制作方法。一種防靜電TFT基板的制作方法，包括以下步驟:對TFT基板進行清洗并干燥；采用旋刮涂膠法將ITO溶合劑旋刮在所述TFT基板上，在所述TFT基板表面形成ITO涂層，其中，所述ITO溶合劑由以下質(zhì)量百分比的組份組成:0.5 1%的In203、4.5 6%的Sn02、35 45%的H20、15 20%的復(fù)合表面活性劑及35 40%的交聯(lián)劑；及將所述ITO涂層進行烘烤，后自然晾干，在所述TFT基板表面形成ITO膜層，得到防靜電TFT基板。在其中一個實施例中，對TFT基板進行清洗并干燥的步驟包括:對TFT基板依次用純水、堿液、二流體噴淋、超純水噴淋、高壓噴淋進行清洗，后依次用冷風(fēng)、熱風(fēng)干燥。在其中一個實施例中，所述ITO溶合劑的粘度為20 25CP。在其中一個實施例中，所述復(fù)合表面活性劑為聚乙二醇。在其中一個實施例中，所述交聯(lián)劑為過氧化二異丙苯。在其中一個實施例中，所述ITO膜層的厚度為40 50 μ m。在其中一個實施例中，采用旋刮涂膠法將ITO溶合劑旋刮在所述TFT基板上，在所述TFT基板表面形成ITO涂層的步驟中，旋刮速度為1000 1500轉(zhuǎn)/min，旋刮時間為10 15s，環(huán)境溫度為19 25°C，環(huán)境濕度為40 60%。在其中一個實施例中，烘烤溫度為57 63°C，烘烤時間為25 35min。上述防靜電TFT基板的制作方法，由于旋刮涂膠法的設(shè)備較真空磁控濺射設(shè)備成本較低，降低了生產(chǎn)成本；同時，旋刮涂膠法不會產(chǎn)生電子輻射，對人體影響較??；另外，旋刮涂膠法在常壓下進行，減少了真空度對TFT基板破裂風(fēng)險的影響。


圖1為一實施方式的防靜電TFT基板的制作方法的流程圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。一實施方式的防靜電TFT基板的制作方法，包括以下步驟:步驟S100、對TFT基板進行清洗并干燥。具體的，使用清洗機對TFT基板依次用純水、堿液、BJ (二流體)噴淋、DI (超純水)噴淋、高壓噴淋進行清洗，后依次用冷風(fēng)、熱風(fēng)干燥，最后檢驗TFT基板表面的清潔質(zhì)量，準備進行旋刮涂膠。步驟S200、采用旋刮涂膠法將ITO溶合劑旋刮在TFT基板上，在TFT基板表面形成ITO涂層，其中，ITO溶合劑由以下質(zhì)量百分比的組份組成:0.5 1%的In203、4.5 6%的SnO2,35 45%的H20、15 20%的復(fù)合表面活性劑及35 40%的交聯(lián)劑。具體的，通過機械手將TFT基板放置在自動刀刮旋涂膠機工作臺面上，并進行自動定位，然后將ITO溶合劑旋刮在TFT基板上，形成一層ITO涂層，旋刮速度為1000 1500轉(zhuǎn)/min，旋刮時間為10 15s，均勻性控制在±5%以內(nèi)。作業(yè)環(huán)境為無塵空間(百級)，溫度為19 25°C，濕度為40 60%。其中，ITO溶合劑的粘度為20 25CP。復(fù)合表面活性劑為邢臺盛達助劑有限責(zé)任公司生產(chǎn)的聚乙二醇(PEG) 400。交聯(lián)劑具體為過氧化二異丙苯。步驟S300、將ITO涂層進行烘烤，后自然晾干，在TFT基板表面形成ITO膜層，得到防靜電TFT基板。將ITO涂層在作業(yè)環(huán)境下自然風(fēng)干3 5min后送進無塵烤箱中進行烘烤，烘烤溫度為57 63°C，烘烤時間為25 35min。烘烤溫度較低，防止溫度因素影響ITO膜層的附著力及膜硬度。將具有ITO涂層的TFT基板進行烘烤，可以使ITO涂層與TFT基板的附著力增強，并形成透明、均勻的ITO膜層。其中，ITO膜層的厚度為40 50 μ m。上述防靜電TFT基板的制作方法，由于旋刮涂膠法的設(shè)備較真空磁控濺射設(shè)備成本較低，降低了生產(chǎn)成本；同時，旋刮涂膠法不會產(chǎn)生電子輻射，對人體影響較??；另外，旋刮涂膠法在常壓下進行，減少了真空度對TFT基板破裂風(fēng)險的影響。下面結(jié)合具體實施例，對本發(fā)明作進一步的闡述。實施例1一種防靜電TFT基板的制作方法，包括以下步驟:1、對TFT基板進行清洗并干燥。使用清洗機對TFT基板依次用純水、堿液、BJ噴淋、DI噴淋、高壓噴淋進行清洗，后依次用冷風(fēng)、熱風(fēng)干燥。2、采用旋刮涂膠法將ITO溶合劑旋刮在TFT基板上，在TFT基板表面形成ITO涂層，其中，ITO溶合劑由以下質(zhì)量百分比的組份組成:0.5%的In203、4.5%的Sn02、40%的H20、15%的PEG400及40%的過氧化二異丙苯。通過機械手將TFT基板放置在自動刀刮旋涂膠機工作臺面上，并進行自動定位，然后將粘度為20CP的ITO溶合劑旋刮在TFT基板上，形成一層ITO涂層，旋刮速度為1000轉(zhuǎn)/min，旋刮時間為10s。作業(yè)環(huán)境為無塵空間(百級)，溫度為19°C，濕度為40%。3、將ITO涂層進行烘烤，后自然晾干，在TFT基板表面形成ITO膜層，得到防靜電TFT基板。將ITO涂層送進無塵烤箱中進行烘烤，烘烤溫度為60°C，烘烤時間為25min。ITO膜層的厚度為40 μ m。將上述制作方法制得的防靜電TFT基板進行性能測試，測試結(jié)果為:防靜電TFT基板的表面電阻為5 10Ω/ □，透過率比彡90%, ITO膜層的附著力為5B、膜硬度>6H，說明該防靜電TFT基板達到生產(chǎn)要求，透過率較高，能夠較好地應(yīng)用于市場。實施例2一種防靜電TFT基板的制作方法，包括以下步驟:1、對TFT基板進行清洗并干燥。使用清洗機對TFT基板依次用純水、堿液、BJ噴淋、DI噴淋、高壓噴淋進行清洗，后依次用冷風(fēng)、熱風(fēng)干燥。

2、采用旋刮涂膠法將ITO溶合劑旋刮在TFT基板上，在TFT基板表面形成ITO涂層，其中，ITO溶合劑由以下質(zhì)量百分比的組份組成:1%的In203、6%的Sn02、40%的H20、18%的PEG400及35%的過氧化二異丙苯。通過機械手將TFT基板放置在自動刀刮旋涂膠機工作臺面上，并進行自動定位，然后將粘度為25CP的ITO溶合劑旋刮在TFT基板上，形成一層ITO涂層，旋刮速度為1500轉(zhuǎn)/min，旋刮時間為15s。作業(yè)環(huán)境為無塵空間(百級)，溫度為25°C，濕度為60%。3、將ITO涂層進行烘烤，后自然晾干，在TFT基板表面形成ITO膜層，得到防靜電TFT基板。將ITO涂層送進無塵烤箱中進行烘烤，烘烤溫度為63°C，烘烤時間為35min。ITO膜層的厚度為50 μ m。將上述制作方法制得的防靜電TFT基板進行性能測試，測試結(jié)果為:防靜電TFT基板的表面電阻為5 10Ω/ □，透過率比彡90%, ITO膜層的附著力為5B、膜硬度>6H，說明該防靜電TFT基板達到生產(chǎn)要求，透過率較高，能夠較好地應(yīng)用于市場。以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
權(quán)利要求
1.一種防靜電TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 對TFT基板進行清洗并干燥； 采用旋刮涂膠法將ITO溶合劑旋刮在所述TFT基板上，在所述TFT基板表面形成ITO涂層，其中，所述ITO溶合劑由以下質(zhì)量百分比的組份組成:0.5 1%的In203、4.5 6%的SnO2,35 45%的H20、15 20%的復(fù)合表面活性劑及35 40%的交聯(lián)劑；及 將所述ITO涂層進行烘烤，后自然晾干，在所述TFT基板表面形成ITO膜層，得到防靜電TFT基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電TFT基板的制作方法，其特征在于，對TFT基板進行清洗并干燥的步驟包括:對TFT基板依次用純水、堿液、二流體噴淋、超純水噴淋、高壓噴淋進行清洗，后依次用冷風(fēng)、熱風(fēng)干燥。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電TFT基板的制作方法，其特征在于，所述ITO溶合劑的粘度為20 25CP。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電TFT基板的制作方法，其特征在于，所述復(fù)合表面活性劑為聚乙二醇。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電TFT基板的制作方法，其特征在于，所述交聯(lián)劑為過氧化二異丙苯。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電TFT基板的制作方法，其特征在于，所述ITO膜層的厚度為40 50 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電TFT基板的制作方法，其特征在于，采用旋刮涂膠法將ITO溶合劑旋刮在所述TFT基板上，在所述TFT基板表面形成ITO涂層的步驟中，旋刮速度為1000 1500轉(zhuǎn)/min，旋刮時間為10 15s，環(huán)境溫度為19 25°C，環(huán)境濕度為40 60%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電TFT基板的制作方法，其特征在于，烘烤溫度為57 63 °C，烘烤時間為25 35min。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種防靜電TFT基板的制作方法，包括以下步驟對TFT基板進行清洗并干燥；采用旋刮涂膠法將ITO溶合劑旋刮在所述TFT基板上，在所述TFT基板表面形成ITO涂層，其中，所述ITO溶合劑由以下質(zhì)量百分比的組份組成0.5～1%的In2O3、4.5～6%的SnO2、35～45%的H2O、15～20%的復(fù)合表面活性劑及35～40%的交聯(lián)劑；及將所述ITO涂層進行烘烤，后自然晾干，在所述TFT基板表面形成ITO膜層，得到防靜電TFT基板。上述防靜電TFT基板的制作方法，由于旋刮涂膠法的設(shè)備較真空磁控濺射設(shè)備成本較低，降低了生產(chǎn)成本；同時，旋刮涂膠法不會產(chǎn)生電子輻射，對人體影響較??；另外，旋刮涂膠法在常壓下進行，減少了真空度對TFT基板破裂風(fēng)險的影響。
文檔編號H01L21/77GK103199061SQ20131011799
公開日2013年7月10日 申請日期2013年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月7日
發(fā)明者張迅, 張伯倫, 易偉華 申請人:江西沃格光電科技有限公司