技術(shù)編號(hào)：6789301
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)領(lǐng)域，涉及一種晶體管及其制造方法，具體涉及一種基于應(yīng)變硅技術(shù)的深耗盡溝道晶體管及其制造方法。背景技術(shù)隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，以CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)器件等比例縮小為動(dòng)力的硅基集成電路技術(shù)已經(jīng)邁入納米尺寸，并將繼續(xù)遵循摩爾定律進(jìn)一步縮小器件尺寸，以滿足芯片微型化、高密度化、高速化和系統(tǒng)集成化的要求。但是，進(jìn)一步縮小晶體管的尺寸也面臨著諸多難題。難題之一是載流子遷移率的退化和速度飽和效應(yīng)，會(huì)導(dǎo)致器件頻率特性不理想，難以滿...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。