技術(shù)編號(hào)：6789217
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制備硅基NMOS器件的方法及相應(yīng)的NMOS器件。具體來說，本發(fā)明涉及將MOCVD和高深寬比溝槽限制技術(shù)(Aspect RatioTrapping, ART)結(jié)合起來生長(zhǎng)材料結(jié)構(gòu)并制備硅基NMOS器件。背景技術(shù)在過去的近十年，大規(guī)模集成電路技術(shù)突飛猛進(jìn)，很大程度上與MOS晶體管的使用和發(fā)展有關(guān)系。MOS晶體管自從進(jìn)入集成電路制造行業(yè)，通過不斷的發(fā)展，至今已經(jīng)成為工業(yè)中最重要的電子器件之一。但是，電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展對(duì)集成元器件提出了更高的要求，根...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。