技術編號：6787277
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。IE型溝槽柵極IGBT背景技術本發(fā)明涉及諸如在與溝槽柵極垂直的方向中具有有源晶元和無源晶元共存的IE (增注)型溝槽柵極IGBT (絕緣柵極雙極型晶體管)之類的功率半導體器件(或半導體集成電路器件)中的器件結構技術。JP-A-11-345969公開了在IE型溝槽柵極IGBT中的溝槽柵極的方向中交替地均勻排放有源晶元區(qū)域和空晶元區(qū)域的技術。JP-A-10-326897或與之對應的第6180966號美國專利公開了在溝槽柵極IGBT中使得主晶元的溝槽側壁與當前檢...
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