技術(shù)編號：6783438
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，涉及包含由與存儲信息對應(yīng)地在電阻值 中產(chǎn)生差的元件構(gòu)成的存儲單元的存儲裝置，特別是涉及應(yīng)用于包含 使用了利用疏族化合物材料的狀態(tài)變化來存儲信息、檢測由該信息產(chǎn) 生的電阻值差來辨別信息的存儲單元的相變存儲器的存儲裝置的有 效的技術(shù)。背景技術(shù)作為本發(fā)明者研究的技術(shù)，例如在包含相變存儲器的半導(dǎo)體裝置中可考慮以下的技術(shù)。存儲元件將至少包含銻(Sb)和碲(Te)的 Ge-Sb-Te系列、Ag-In-Sb-Te系列等的硫族化合物材料(或相變材料)...
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