技術(shù)編號：6783413
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備，并更具體地涉及可能經(jīng)歷讀取失敗的半導(dǎo)體存儲(chǔ) 設(shè)備以及分析所述讀取失敗的相關(guān)方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備通常歸類為易失性存儲(chǔ)設(shè)備，例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ) 器(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM);和非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，例如 電可擦除且可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM )、鐵電RAM、相變RAM、磁RAM (MRAM)、和閃存。如果中斷對易失性存儲(chǔ)器的供電，則所述存儲(chǔ)器丟失其 中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。相反，即使當(dāng)切斷非易失性存儲(chǔ)器的電源時(shí)，所述存儲(chǔ)...
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