技術(shù)編號：6783409
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種，且特別是有關(guān)于一種用以降低漏電流與噪聲的。 背景技術(shù)DRAM為目前最廣泛使用的存儲器。DRAM是利用電容來儲存數(shù)據(jù)，由于存在電容之 中的電荷會逐漸消失，故需要額外周期性的更新(refresh)動作。圖l為已知DRAM的基本 單位的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為用以說明圖1中各信號的時序圖。請同時參照圖1與圖2，在等 電位期間T21，由于信號EQL11、EQL12、MUXll與MUX12的準(zhǔn)位維持在電壓VINT2，因此位線 (BL11、/BL11、B...
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