技術(shù)編號：6783062
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明有關(guān)于使用可編程電阻材料的高密度存儲元件，而可編程電阻材料包括相變化材料如硫?qū)倩锏?，及此等元件的制造方法。背景技術(shù)包括采用相變化材料在內(nèi)的可編程電阻材料，己經(jīng)廣泛運(yùn)用于非易失隨機(jī)存取存儲單元中。相變化材料，諸如硫?qū)倩锊牧系龋衫眉呻娐肥┘舆m當(dāng)?shù)碾娏饕栽诮Y(jié)晶態(tài)與非晶態(tài)之間轉(zhuǎn)換相態(tài)。大致為非晶態(tài)者較大致為結(jié)晶態(tài)者具有較高的電阻率，由此即可感知數(shù)據(jù)。相變化材料可在存儲單元的主動區(qū)域中，于大致為結(jié)晶固態(tài)相的第一結(jié)構(gòu)與大致為非晶固態(tài)相的第二結(jié)構(gòu)之間進(jìn)行...
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