技術編號：6781864
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及納米復合相變材料、制備方法及其應用，屬于微電子。背景技術目前應用前景比較明確的利用相變原理進行數(shù)據(jù)存儲的存儲器大致分為兩類， 一類是己經商業(yè)化的多媒體數(shù)據(jù)光盤(DVD)，另一類是正處于研發(fā) 中的相變隨機存儲器。前者是借助相變前后非晶和多晶材料之間反射率的變 化來進行數(shù)據(jù)"0"和"1"的存儲，而后者的存儲建立在相變前后電阻率的差異上。在相變隨機存儲器(PCRAM， phase change random access memory) 中，第一個狀態(tài)...
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