技術(shù)編號(hào)：6780256
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微納電子，涉及一種相變存儲(chǔ)器，尤其涉及一種相變存儲(chǔ)器的猝發(fā)寫方法。 背景技術(shù)相變存儲(chǔ)器技術(shù)是基于0vshinsky在20世紀(jì)60年代末(Phys. Rev. Lett. ， 21， 1450 1453， 1968) 70年代初(A卯l. Phys. Lett. ， 18， 254 257， 1971)提出的相變薄膜可 以應(yīng)用于相變存儲(chǔ)介質(zhì)的構(gòu)想建立起來的，是一種價(jià)格便宜、性能穩(wěn)定的存儲(chǔ)器件。相變存 儲(chǔ)器可以做在硅晶片襯底上，其關(guān)鍵材料是可記錄的相...
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