技術(shù)編號(hào):6780062
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及高壓生成電路,尤其涉及用于減少輸出電壓過(guò)沖的高壓生成電路和 方法。背景技術(shù)包括電可編程和可擦除^f渚單元(memory cell )的NAND閃存設(shè)備、NOR閃存 設(shè)備、電可擦除可編程只讀w^諸器(EEPR0M)設(shè)備等通常為了編考M者擦除^f諸單元 而使用高于電源電壓的高壓。為了減少用于編程或者擦除^H諸單元所需要的時(shí)間,應(yīng)當(dāng)減少用于生成禾4急定 高壓的時(shí)間。當(dāng)增加用于生成高壓的時(shí)鐘信號(hào)的頻率以減少用于生成禾4I定高壓的 時(shí)間時(shí),可以iStit生...
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