專利名稱：用于減少輸出電壓過沖的高壓生成電路和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高壓生成電路，尤其涉及用于減少輸出電壓過沖的高壓生成電路和 方法。
背景技術(shù)：
包括電可編程和可擦除^f渚單元(memory cell )的NAND閃存設(shè)備、NOR閃存 設(shè)備、電可擦除可編程只讀w^諸器(EEPR0M)設(shè)備等通常為了編考M者擦除^f諸單元 而使用高于電源電壓的高壓。為了減少用于編程或者擦除^H諸單元所需要的時間，應(yīng)當(dāng)減少用于生成禾4急定 高壓的時間。當(dāng)增加用于生成高壓的時鐘信號的頻率以減少用于生成禾4I定高壓的 時間時，可以iStit生成高壓，但是會發(fā)生輸出高壓在被穩(wěn)定之前暫時'&i也增加到高 于所期望電平的電平的過沖。這種過沖對^H浙殳備產(chǎn)生了壓力，這可能會導(dǎo)致^H諸 設(shè)備的故障。而且，當(dāng)為了增加調(diào)節(jié)器(regulator )的響應(yīng)速復(fù)，而增加用于穩(wěn)定 高壓以減少過沖的用于感測高壓的調(diào)節(jié)器電流時，功耗也會增加。圖1圖解了傳統(tǒng)的高壓生成電路IOO的結(jié)構(gòu)。圖2是圖解了從圖1所示高壓生 成電路100輸出的高壓VPP的曲線圖。高壓生成電路100包:l封周節(jié)器110、振蕩器 120以及高壓生成器130。調(diào)節(jié)器110將從通過多個分壓電阻器Rx和Ry來劃分的高壓VPP中獲得的電壓 VC和參考電壓Vref相比較并基于比較結(jié)果生成使能信號CS?；诟邏篤PP和分壓 電阻器Rx和Ry來確定用于感測高壓VPP的調(diào)節(jié)器110的電流IS。振蕩器120響應(yīng) 于使能信號CS而生成時鐘信號CLL高壓生成器130接收時鐘信號CLK并生成和輸 出與時鐘信號CLK對應(yīng)的高壓VPP。調(diào)節(jié)器110為了實現(xiàn)低功率操作，通常通過增加分壓電阻器Rx和Ry的阻抗來減少用于感測高壓VPP的電流IS的量級。然而，當(dāng)增加多個分壓電阻器Rx和Ry的 阻抗時，調(diào)節(jié)器110的響應(yīng)ii^會由于RC延遲而降低。因此，即使當(dāng)高壓VPP目標電壓時，調(diào)節(jié)器iio也可能沒有適當(dāng)?shù)豝y亍調(diào)節(jié)操作。這種情況下，就會發(fā)生高壓VPP過沖。參照圖2，即使高壓VPPiiJij目標電壓VT之后，高壓VPP仍持續(xù)增加，因此就 發(fā)生了高壓VPP過沖。將從高壓VPPi^Jij目標電壓VT的時間Tl到發(fā)生高壓VPP過 沖的時間T2之間的時間賴:稱作調(diào)節(jié)器110的響應(yīng)時間。而且，當(dāng)為了生成高壓VPP和減少穩(wěn)定時間，而增加/人振蕩器120輸出的時鐘 信號CLK的頻率時，高壓VPP的il^也會增力口。然而，高壓VPP過沖更會增加。高 壓VPP的不理想過沖對#^浙殳備產(chǎn)生了不必要的壓力，從而也可能會導(dǎo)致^^浙殳備 的故障。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的示例性實施例提供了用于防止高壓的不理想過沖的高壓生成電路和方法。沖艮據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，提供了高壓生成電路，包括高壓生成單元、控制 器和調(diào)節(jié)器。高壓生成單元響應(yīng)于使能信號^it過輸出端產(chǎn)生高電壓。高壓生成單 元包括振蕩器，其被配置為響應(yīng)于使能信號而生成時鐘信號，以及高壓生成器，被 配置為響應(yīng)于時鐘4言號而生成高壓。控制器監(jiān)控高壓的電平并基于監(jiān)控結(jié)果生成第一控制信號。調(diào)節(jié)器響應(yīng)于高壓 的電平和第一控制信號，控制用于感測高壓的高壓感測電流并且產(chǎn)生使能信號。調(diào)節(jié)器具有基于高壓感測電流量而變化的響應(yīng)H并且包括電流通路和比較 器。電流通路連接在輸出端和地之間，響應(yīng)于第一控制信號而變化的高壓感測電流 可以在所述電流通路中流動。比較器將從包括在電流通路中的第一節(jié)點所感測到的電壓與參考電廁目比4交，并iL^于比較結(jié)果生成使能信號。高壓生成電路可以進一步包括延遲電路，其被S己置為響應(yīng)于第1空制信號而將 使能信號延遲預(yù)定時間段，該第二控制信號是由控制器基于監(jiān)控高壓電平的結(jié)果而 生成的。從高壓生成電路輸出的高壓可以被用作用于非易失性^f浙殳備的^i諸單元 的編程電壓或者擦除電壓。才艮據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，提供了高壓生成方法，其包括響應(yīng)于使能信號來 通過輸出端生成高壓，監(jiān)控高壓的電平并基于監(jiān)控結(jié)果生成第一控制信號，響應(yīng)于 高壓電平和第 一控制信號來控制用于感測高壓的高壓感測電流并生成使能信號。控制高壓感測電流和生成使能信號的步驟包括響應(yīng)于第一控制信號改變高壓感 測電流；將基于不同的高壓感測電流而生成的電壓與參考電壓相比較，并基于比較 結(jié)果生成〗吏能信號。高壓生成方法進一步包括監(jiān)控高壓電平和基于監(jiān)控結(jié)果生成第二控制信號，響 應(yīng)于第二控制信號，通過延遲使能信號預(yù)定時間賴沬控制高壓的增加速度。


結(jié)合附圖，將從下面描述的更多細節(jié)中理解本發(fā)明的示例性實施例其中圖1圖解了傳統(tǒng)高壓生成電^各的結(jié)構(gòu)；圖2是圖解從圖1所示的高壓生成電路輸出的高壓的曲線圖；圖3圖解了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的高壓生成電路的結(jié)構(gòu)；圖4是圖解從圖3所示的高壓生成電贈4t出的高壓的曲線圖；圖5圖解了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的高壓生成電路的結(jié)構(gòu)；以及圖6是圖解從圖5所示的高壓生成電路輸出的高壓的曲線圖。^沐實施方式下文中將參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例進行更完整的描述，附圖中示出了 本發(fā)明的示例性實施例。然而本發(fā)明可以以多種不同的形式實現(xiàn)而不應(yīng)當(dāng)解釋為受 限于在jH^是出的示例性實施例。相反，提供這些示例性實施例以便本公開是全面的 和完整的，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳遞本發(fā)明的范圍。在附圖中，相同的附 圖標i化整個發(fā)明中代束相同的元件。圖3圖解了才艮據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的高壓生成電路300的結(jié)構(gòu)。高壓生成 電路300包括控制單元310和高壓生成單元340?？刂茊卧?10響應(yīng)于高壓VPP的電 平控制用于感測高壓VPP的電流(下文中，稱作"高壓感應(yīng)電流")并生成使能信號 CS?？刂茊卧?10包括控制器320和調(diào)節(jié)器330?？刂破?20監(jiān)控高壓VPP的電平并基于監(jiān)控結(jié)果生成第一控制信號CS1 。當(dāng)高 壓VPP低于第一電壓VI (圖4)時，控制器320可以生成處于低電平的第一控制信號 CS1，而當(dāng)高壓VPP高于第一電壓V1時，可以生成處于高電平的第一控制信號CS1。 第一電壓V1低于高壓VPP的目標電壓VT(圖4),并且是用于控制高壓感測電流IS 的參考電壓。調(diào)節(jié)器330響應(yīng)于高壓VPP的電平和第一控制信號CS1控制高壓感測電流IS 的量并且生成使能信號CS。調(diào)節(jié)器330的響應(yīng)ilJl可以隨著高壓感測電流IS而變化。調(diào)節(jié)器330包括電流通路332和比較器338。電濟uit路332連接在輸出高壓VPP的輸出端OUT和地VSS之間，并且具有高壓 感測電流IS,所述感測電流IS響應(yīng)于第一控制信號CS1而變化。電流通路332可以 包括多個電阻器R1至R4，它們串耳錄輸出端OUT和地VSS之間，還包括一個或多個 開關(guān)元件Trl和Tr2，每一個開關(guān)元件都與多個電阻器Rl至R4中的一個電阻器R3 或R4的兩端并聯(lián)，并響應(yīng)于第一控制信號CS1而開關(guān)。電流通路332包括第一可變 阻抗電路334和第二可變阻抗電路336。第一可變阻抗電路334連接在輸出端OUT和第一節(jié)點Nl之間，并且具有可以響 應(yīng)于第一控制信號CS1而變化的阻抗。第一可變阻抗電路334包括電阻器Rl和R3， 它們串ltt輸出端OUT和第一節(jié)點Nl之間，還包括晶體管Trl,其與一個電阻器R3 的兩端并聯(lián)。第二可變阻抗電路336連接在第一節(jié)點N1和地VSS之間，并具有可以 響應(yīng)于第一控制信號CS1而變化的阻抗。第二可變阻抗電路336包括電阻器R2和R4， 它們串聯(lián)在第一節(jié)點N1和地VSS之間，還包括晶體管Tr2,其與一個電阻器R4的兩 端并聯(lián)。每一個晶體管Trl和Tr2都可以通過P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體 管(M0SFET)或者N溝道MOSFET而實現(xiàn)。在該示例性實施例中，假設(shè)當(dāng)高壓VPP等于第一電壓VI時在第一節(jié)點N1感測 到的電壓(下文中，稱作"比較電壓，，)VC等于當(dāng)高壓VPP等于目標電壓VT時在第一 節(jié)點N1感測到的比較電壓VC。因此，第一可變阻抗電路334的阻抗和第二可變阻抗 電路336的阻抗之間的比率基于晶體管Trl和Tr2開始開關(guān)操作的時間而變化。每一個第一和第二可變阻抗電路334和336都可以通過具有隨著第一控制信號 CSI而變化的阻抗的可變電阻器實現(xiàn)。因此，控制器320可以響應(yīng)于高壓VPP的電平， 通過控制第一可變阻抗電路334的阻抗和第二可變阻抗電路336的阻抗來控制高壓 感測電流IS。基于高壓VPP以及第一可變阻抗電路334的阻抗與第二可變阻抗電路336的阻 私之間的比率而確定輸入到比較器338的比較電壓VC。比較器338將比較電壓VC 和參考電壓Vref相比較，并基于比較結(jié)果生成使能信號CS。號CS,且可以在比較電壓VC高于參考電壓Vref時輸出處于低電平的使能信號CS。 根據(jù)本發(fā)明的其它示例性實施例，與其相反也是可能的。高壓生成單元340響應(yīng)于使能信號CS生成高壓VPP并通過輸出端OUT輸出高壓 VPP。高壓VPP可以用作非易失性^f浙殳備的編程電壓或者擦除電壓。高壓生成單元 340包4封展蕩器342和高壓生成器344。振蕩器342響應(yīng)于反饋到其的使能信號CS生成時鐘信號CLL例如，當(dāng)使能信 號處于高電平時，振蕩器342可以生成時鐘信號CLK,而當(dāng)使能信號CS處于低電平 時，可以不生成時鐘信號CLK。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，與其相反也是可能的。高壓生成器344生成與時鐘信號CLK對應(yīng)的高壓VPP并JJt過輸出端OUT輸出 高壓VPP。換句^i兌，高壓生成器344只有當(dāng)振蕩器342輸出時鐘信號CLK時才l^亍 用于生成高壓VPP的泉4^f乍(pumping operation )。在下文中，將描述高壓生成電路300通過控制高壓感測電流IS來減少高壓VPP 過沖的過程。當(dāng)高壓VPP低于圖4中所示的第一電壓VI時，控制器320輸出處于低電平的第 一控制信號CS1。結(jié)果，第一和第二晶體管Trl和Tr2截止，且高壓感測電流IS具 有將高壓VPP除以電阻器R1、 R2、 R3和R4的阻抗^直的總和所獲得的值。當(dāng)高壓VPP 高于第一電壓V1時，控制器320輸出處于高電平的第一控制信號CS1。結(jié)果，第一 和第二晶體管Trl和Tr2導(dǎo)通，且高壓感測電流IS具有將高壓VPP除以第一電阻器 Rl和R2的阻抗值的總和所獲得的值。在這個示例性實施例中，為了描述的清^i見， 第一和第二晶體管Trl和Tr2的導(dǎo)通阻抗(turn on resistance )沒有被考慮在內(nèi)。因此，當(dāng)高壓VPP高于第一電壓V1時，增加高壓感測電流IS。換句"^i兌，當(dāng) 高壓VPP達到第一電壓VI的電平時控制器320增加了高壓感測電流IS，從而增加了 調(diào)節(jié)器330的響應(yīng)ilA(也舒&，調(diào)節(jié)ii^)。當(dāng)增加調(diào)節(jié)器330的響應(yīng)ii^時，控 制振蕩器342的速度O曽加了 。因此，高壓生成電路300可以通過增加當(dāng)高壓VPP 與第一電壓VI相等之后的高壓VPP被控制的i4^來減少高壓VPP的過沖。圖4是圖解圖3所示的高壓生成電路300輸出的高壓VPP的曲線圖。在圖4中， 實線指示的是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例中高壓生成電路300輸出的高壓VPP，而虛線 指示的是從傳統(tǒng)高壓生成電路中輸出的高壓VPP。參照圖4，相對于傳統(tǒng)高壓生成電路所產(chǎn)生的過沖，從高壓生成電路300輸出 的高壓VPP的過沖減少了 ，且調(diào)節(jié)器330的響應(yīng)時間從Tl到17的時間段減少到從 Tl到T3的時間孚殳。另夕卜，穩(wěn)定高壓VPP所需要的時間也減少了 。圖5圖解了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的高壓生成電路500的結(jié)構(gòu)。高壓生成 電路500包括控制單元510和高壓生成單元550。響應(yīng)于高壓VPP的電平，控制單元510生成使能信號D—CS3,它能控制高壓VPP 的增加i4^或者上升速率。控制單元510包括控制器520、調(diào)節(jié)器530、以M遲電 路5復(fù)控制器520監(jiān)控高壓VPP的電平并且生成第一控制信號CS1和第二控制信號CS2。在該示例性實施例中，當(dāng)高壓VPP低于第一電壓V1(圖6)時，控制器520可以 生成處于〗氐電平的第一控制信號CS1，而當(dāng)高壓VPP高于第一電壓V1時，控制器520 可以生成處于高電平的第一控制信號CS1。另外，當(dāng)高壓VPP低于第一電壓V1時， 控制器520可以生成處于高電平的第二控制信號CS2，而當(dāng)高壓VPP高于第一電壓 VI時，控制器520可以生成處于低電平的第^空制信號CS2。第一電壓V1低于高壓 VPP的目標電壓VT(圖6),并且是用于確定延遲電路540的操作或不操作的參考電壓。調(diào)節(jié)器530響應(yīng)于高壓VPP的電平和第一控制信號CS1,控制用于感測高壓VPP 的高壓感測電流IS，并生成使能信號CS3。調(diào)節(jié)器530包括電流通路532和比較器 538。電流通路532響應(yīng)于第一控制信號CS1產(chǎn)生比較電壓VC。電流通路532包括第 一可變阻抗電路534和第二可變阻抗電路536。第一可變阻抗電路534連接在輸出高壓VPP的輸出端OUT和第一節(jié)點Nl之間。 第二可變阻抗電路536連接在第一節(jié)點Nl和地電壓VSS之間。每一個第一可變阻抗 電路534和第二可變阻抗電路536的阻抗都響應(yīng)于第一控制信號CS1而變化。第三 晶體管Tr3包括在第二可變阻抗電路536中并且可以通過MOSFET實現(xiàn)，該MOSFET 響應(yīng)于第一控制信號CS1而導(dǎo)通和截止。當(dāng)高壓VPP等于第一電壓VI時獲得的比較電壓VC應(yīng)當(dāng)與當(dāng)高壓VPP等于目標 電壓VT時獲得的比較電壓VC相同。因此，第一可變阻抗電路534和第二可變阻抗 電路536的阻抗之間的比率基于第三晶體管Tr3開始開關(guān)操作的時間而變化。每一個第一可變阻抗電路534和第二可變阻抗電路536還可以通過可變電阻器實現(xiàn)，該可變電阻器具有響應(yīng)于第一控制信號CS1而改變的阻抗，無^r^何，電流通路532扭J亍與圖3中所示的電流通路332相同的功能。 '比刁，結(jié)果生成使能信號CS3。在該示例性實施例中，當(dāng)比較電壓VC高于參考電壓Vref 時，比較器538生成處于低電平的使能信號CS3,而當(dāng)比較電壓VC低于參考電壓Vref 時，比較器538生成處于高電平的使能信號CS3。延遲電路540可以響應(yīng)于來自控制器520的第二控制信號CS2延遲使能信號 CS3。在該示例性實施例中，當(dāng)?shù)赹空制信號CS2處于低電平時，延遲電路540可以 輸出延遲了預(yù)定時間段^的使能信號CS 3,而當(dāng)?shù)?空制信號CS2處于高電平時， 延遲電路540可以輸出沒有延遲的使能信號CS3。高壓生成單元550響應(yīng)于/A^遲電路540輸出的使能信號D—CS3生成高壓VPP。 高壓生成單元550包括振蕩器552和高壓生成器554。振蕩器552響應(yīng)于使能信號D_CS3生成時鐘信號CLK,而高壓生成器554響應(yīng)于時鐘信號CLK生成高壓VPP。在下文中，將描述高壓生成單元550通過控制高壓VPP的增加i4yl或者上升速 率來減少高壓VPP的過沖的過程。當(dāng)高壓VPP低于第一電壓VI時，控制器520生成處于高電平的第^空制信號 CS2。由于從電流通路532的第一節(jié)點Nl感測到的比較電壓VC低于參考電壓Vref ， 所以比較器538輸出處于高電平的使能信號CS3。由于第^空制信號CS2處于高電平, 所以延遲電路540輸出處于高電平的使能信號CS3。振蕩器552響應(yīng)于處于高電平的 使能信號CS3輸出時鐘信號CLK,而高壓生成器554響應(yīng)于時鐘信號CLK生成高壓 VPP。然而，當(dāng)高壓VPP高于第一電壓VI時，控制器520生成處于低電平的第^空制 信號CS2。即使比較器538輸出處于高電平的使能信號CS3，由于第二控制信號CS2 處于低電平，所以延遲電路540通it^遲處于高電平的使能信號CS3 —段預(yù)定時間 4棘輸出使能信號D-CS3。此時，振蕩器552在預(yù)定時間段內(nèi)不生成時鐘信號CLK。 因此，高壓生成器554不^^于用于生成高壓VPP的泵操作。此時，高壓VPP通過從 第一電壓V1自由上升iii"目標電壓VT,并且因jtl^艮少發(fā)生高壓VPP的過沖。圖6是圖解圖5所示的高壓生成電路500輸出的高壓VPP的曲線圖。參照圖6， 在高壓VPP達到第一電壓VI之后，從高壓生成電路500輸出的高壓VPP的增加ii^ 或者上升速率減隄了從時間T4到T5的預(yù)定時間段(延遲時間)。因此，與傳統(tǒng)的高過沖，也減少了用于穩(wěn)定高壓VPP的時間。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，高壓生成電路通過基于高壓的電平控 制用于感測高壓的電流或者通itt遲生成高壓的振蕩器的操作一段預(yù)定時間段來減 少高壓的過沖。雖然參照本發(fā)明的示例性實施例已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng) 當(dāng)理解，在不偏離本發(fā)明的##和如在下面的權(quán)利要求中所限定的范圍的情況下， 可以對其做出形式和細節(jié)的更改。
權(quán)利要求
1.一種高壓生成電路，包括高壓生成單元，配置為響應(yīng)于使能信號來通過輸出端產(chǎn)生高壓；控制器，配置為監(jiān)控所述高壓的電平并基于監(jiān)控結(jié)果生成第一控制信號；調(diào)節(jié)器，配置為響應(yīng)于所述高壓的電平和所述第一控制信號控制用于感測高壓的高壓感測電流，并且生成所述使能信號。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓生成電路，其中該調(diào)節(jié)器具有基于高壓感應(yīng)電流 的量而變化的響應(yīng)tt。
3. 才艮據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓生成電路，其中該調(diào)節(jié)器包括電^it路，連接在所述輸出端和地之間，并通過其流過響應(yīng)于所述第一控制信 號而變化的高壓感測電流；以及比較器，配置為將從包含在所述電流通路中的第一節(jié)點所感測到的電壓和參考 電壓相比較，并基于比較結(jié)果生成使能信號。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的高壓生成電路，其中該電^it路包括 多個電阻器，串耳鎮(zhèn)輸出端和ik間；以及至少一個開關(guān)元件，其與多個電阻器中的至少一個的兩端并聯(lián)，并且響應(yīng)于所 述第一控制信號而開關(guān)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的高壓生成電路，其中該開關(guān)元件是金屬氧化物半導(dǎo)體 場效應(yīng)晶體管(M0SFET)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的高壓生成電路，其中該電流通路包括 第一可變電阻器，連接在輸出端和第一節(jié)點之間，并且具有響應(yīng)于所述第一控制信號而變化的阻抗；第二可變電阻器，連接在第一節(jié)點和地之間，并且具有響應(yīng)于所述第一控制信 號而變化的阻抗。
7，根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓生成電路，其中該高壓生成單元包括 振蕩器，配置為響應(yīng)于所述使能信號來生成時鐘信號； 高壓生成器，配置為響應(yīng)于該時鐘信號來生成高壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高壓生成電路，進一步包括延遲電路，配置為響應(yīng)于 第^|空制信號而#[吏能信號延遲預(yù)定時間段，所述第^空制信號由控制器基于監(jiān)控 高壓的電平的結(jié)果而生成。
9. 才艮據(jù)權(quán)利要求8所述的高壓生成電路，其中高壓的增加iitt于所述第^空制信號而變化。
10. —種高壓生成方法，包括響應(yīng)于使能信號通過輸出端生成高壓； 監(jiān)控高壓的電平并基于監(jiān)控結(jié)果生成第一控制信號；以及 響應(yīng)于高壓的電平和所述第 一控制信號控制用于感測高壓的高壓感測電流并生 成所述使能信號。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的高壓生成方法，其中控制高壓感測電流和生成使能 信號的步驟包括響應(yīng)于第一控制信號來改變高壓感測電流；以及比交基于改變的高壓感測電流而產(chǎn)生的電壓與參考電壓，并基于比較結(jié)果生成 所述使能信號。
12. 才艮據(jù)權(quán)利要求10所述的高壓生成方法，其中響應(yīng)于使能信號通過輸出端生 成高壓的步驟包括響應(yīng)于所述使能信號生成時鐘信號；以及 響應(yīng)于所述時鐘信號生成所述高壓。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的高壓生成方法，進一步包括 監(jiān)控高壓的電平并基于監(jiān)控結(jié)果生成第二控制信號；以及 通過響應(yīng)于所述第J^空制信號^f吏能信號延遲預(yù)定時間,tt控制高壓的增加速度。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的高壓生成方法，進一步包括j賴來自輸出端的高壓 作為用于非易失性^^i殳備的存儲單元的編程電壓和擦除電壓之一。
15. —種高壓生成方法，包括 響應(yīng)于從調(diào)節(jié)器輸出的使能信號而生成高壓；以及 比較所述高壓與預(yù)定電壓，并基于比較結(jié)果控制調(diào)節(jié)器的響應(yīng)iUl。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的高壓生成方法，進一步包括 比較該高壓與預(yù)定電壓，并基于比較結(jié)果將從調(diào)節(jié)器輸出的使能信號延遲預(yù)定時間段；以及響應(yīng)于所述延遲的使能信號生成所述高壓。
全文摘要
一種用于非易失性存儲設(shè)備的高壓生成電路，通過基于高壓的電平控制用于感測高壓的電流，或者通過將振蕩器的操作延遲預(yù)定時間段，來減少高壓的過沖，其中該振蕩器生成用于生成該高壓的時鐘信號。
文檔編號G11C16/30GK101226775SQ20071030037
公開日2008年7月23日 申請日期2007年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月28日
發(fā)明者李炳勛, 金永澤 申請人:三星電子株式會社