技術(shù)編號：6777809
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及非易失性存儲元件，并尤其涉及在編程這類非易失性存儲元件時減少閾值電壓的干擾。背景技術(shù) 非易失性存儲元件如電可編只程讀存儲器(EPROM)、電可編程/擦除只讀存儲器(EEPROM)以及閃速存儲元件等，施加閾值電壓Vt至存儲單元，以指定儲存于此存儲單元中的數(shù)據(jù)值。在寫入或編程目標(biāo)存儲單元時，編程電壓經(jīng)由連接至此選定單元的控制柵極的字線、連接至此選定單元的漏極的位線、以及連接至此選定單元的源極的源極線，而施加至此單元。這些編程電壓的組合，將改變此目...
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