技術(shù)編號(hào):6777099
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及存儲(chǔ)器設(shè)備,具體地涉及存儲(chǔ)器設(shè)備內(nèi)的控制電路。背景技術(shù)存儲(chǔ)器設(shè)備以及許多其它電子電路都結(jié)合有存儲(chǔ)器單元,其中保留有 數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)位。這些存儲(chǔ)器單元本質(zhì)上可以是靜態(tài)或動(dòng)態(tài)的。在動(dòng)態(tài)隨M取存儲(chǔ)器(DRAM)中,存儲(chǔ)器單元如此易失以致于需要進(jìn)行充電恢復(fù)操 作來(lái)保持單元信息。該充電恢復(fù)操作稱(chēng)為諸如由存儲(chǔ)器控制器所執(zhí)行的更 新操作。由于若干泄露源產(chǎn)生了存儲(chǔ)器單元的電荷損耗。泄露的主要部分 產(chǎn)生自次臨界漏電流,其構(gòu)成了總漏電流的主要部分。在多個(gè)存儲(chǔ)器單元 ...
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該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
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