技術(shù)編號(hào):6776925
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本文公開(kāi)的主題總體上涉及存儲(chǔ)器件的領(lǐng)域。背景技術(shù)典型地,可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)器件用于配置和測(cè)試集成電路器件(例如,微處理器),并且用于測(cè)試和配置存儲(chǔ)器高速緩存。目前,熔絲陣列用于PROM器件,以存儲(chǔ)信息。附圖說(shuō)明在附圖中以舉例而非限制性的方式來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例,其中,相同的附圖標(biāo)記代表相同的元件。圖1A描述了現(xiàn)有技術(shù)中的PROM陣列。圖1B描述了在現(xiàn)有技術(shù)中,將單元的源極端(sourceterminal)連接到編程電壓端(program volt...
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該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
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