技術(shù)編號(hào)：6774896
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種相變存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)及其制備方法，具體地說是一種通過微納加工技術(shù)制備出空心柱狀的加熱電極，并在空心柱內(nèi)填充相變材料，利用在電脈沖作用下空心柱內(nèi)溫度和壓力的變化誘導(dǎo)相變材料相變，從而實(shí)現(xiàn)相變存儲(chǔ)單元的低壓、低功耗、高速功能。本發(fā)明屬于微電子學(xué)。背景技術(shù) 相變存儲(chǔ)器(C-RAM，Chalcogenide-Random Access Memory)技術(shù)是基于Ovshinsky在20世紀(jì)60年代末(Phys.Rev.Lett.，21，1450～14...
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