技術(shù)編號(hào)：6771951
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，尤其涉及利用于使用了電阻變化器件的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件等有效的技術(shù)。背景技術(shù)近年來(lái)，半導(dǎo)體集成電路的技術(shù)，其制造工藝的微型化在不斷發(fā)展，柵極氧化膜的薄膜化或柵極電極材料等的改變不斷發(fā)展。并且，F(xiàn)LASH、EEPROM等的可改寫器件等也實(shí)現(xiàn)了大規(guī)?；透呒苫?，而被視為技術(shù)性的進(jìn)展。在使用半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)領(lǐng)域，必要的裝置的用途正在改變，有時(shí)，在內(nèi)部混裝安全用途的存儲(chǔ)元件、IC TAG等非易失存儲(chǔ)元件或OTP元件，而且，混裝可改寫的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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