技術(shù)編號：6771887
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲器的，特別是涉及一種存儲器電路以及一種應(yīng)用所述存儲器電路進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取的方法。背景技術(shù)基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設(shè)計中的開發(fā)利器，因?yàn)檫@種存儲器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。一般而言，基本交織耦合鎖存器和有源負(fù)載單元組成了 6T存儲單元，這種單元可以用于容量從數(shù)位到幾兆位的存儲器陣列。經(jīng)過精心設(shè)計的這種存儲器陣列可以滿足許多不同的性能要求，具體要求取決于設(shè)計師是否選用...
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