技術(shù)編號(hào)：6771029
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成存儲(chǔ)電路。尤其涉及一種用于讀出可編程導(dǎo)體隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (PCRAM)單元的方法。背景技術(shù)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)集成電路陣列已經(jīng)存在三十多年并且隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)與電路設(shè)計(jì)技術(shù)的進(jìn)展而使存儲(chǔ)容量顯著增加。這兩種技術(shù)的巨大進(jìn)展還實(shí)現(xiàn)了高水平的集成，使得存儲(chǔ)器陣列尺寸和成本的顯著降低以及生產(chǎn)量的增加。圖1是一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元100的示意圖，包括接入晶體管101和電容器102。耦合到Vcc/2電位源和晶體管101的電容器102以電荷的形式儲(chǔ)存...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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