技術(shù)編號：6770994
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開內(nèi)容涉及半導體存儲器，更具體地，涉及三維(3D)非易失性存儲器件、其編程方法以及包括該非易失性存儲器件的存儲系統(tǒng)。背景技術(shù)半導體存儲器件是利用諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)的半導體材料實現(xiàn)的存儲器件。半導體存儲器件大致分為易失性存儲器件和非易失性存儲器件。易失性存儲器件是其中存儲的數(shù)據(jù)在電源切斷時被擦除的存儲器件。作為易失性存儲器件，有靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和同步動態(tài)隨機存取存...
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