技術(shù)編號：6768136
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明概括地涉及非易失性存儲器。更具體地，本發(fā)明涉及反熔絲器件。 背景技術(shù)在下面的描述中，術(shù)語MOS用于表示任何的FET或MIS晶體管、半晶體管或電容器 結(jié)構(gòu)。為了簡化實施方式的描述，從這里開始，對柵氧化層的引用應(yīng)該被理解為包括電介質(zhì) 材料、氧化物、或氧化物與電介質(zhì)材料的組合。在過去的三十年中，反熔絲技術(shù)已經(jīng)吸引了很多發(fā)明者、IC設(shè)計者和制造商的顯 著關(guān)注。反熔絲是可改變到導電狀態(tài)的結(jié)構(gòu)，或者換句話說，反熔絲是從不導電狀態(tài)改變?yōu)?導電狀態(tài)的電子器件。等同地...
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