技術編號：6765576
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及非易失性半導體存儲裝置。根據(jù)實施例的非易失性半導體存儲裝置包括存儲單元陣列，其包括多個存儲單元，其中在多個第一線與多個第二線的每個交叉處上設置一個存儲單元，每個存儲單元根據(jù)纖絲的狀態(tài)存儲數(shù)據(jù)；以及控制電路，其執(zhí)行將數(shù)據(jù)寫入所述存儲單元的寫入序列，所述寫入序列包括置位步驟，其將置位脈沖施加到所述存儲單元，所述置位脈沖具有第一極性；以及去除步驟，其將去除脈沖施加到所述存儲單元，所述去除脈沖具有不同于所述第一極性的第二極性；并且所述控制電路在執(zhí)行所述寫...
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