技術(shù)編號(hào)：6764481
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，與傳統(tǒng)裝置相比，能夠更加靈活地設(shè)定向選中的存儲(chǔ)單元晶體管中累積電荷時(shí)的電壓。在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置（1）中，向選中的存儲(chǔ)單元晶體管（115）中累積電荷時(shí)，由P型MOS晶體管（9b）施加高電壓作為寫入阻止電壓、由N型MOS晶體管（15a）施加低電壓作為寫入電壓，對(duì)選中的存儲(chǔ)單元晶體管（115）或非選中的存儲(chǔ)單元晶體管（116）施加電壓的任務(wù)，是由P型MOS晶體管（9b）和N型MOS晶體管（15a）分擔(dān)的，由此，能夠分...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無(wú)源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請(qǐng)勿下載。