技術(shù)編號：6764467
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開一種固態(tài)存儲器，其中每個存儲器單元由用雙應(yīng)力襯墊（DSL）技術(shù)實(shí)現(xiàn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）反相器構(gòu)成。每個存儲器單元包括一對交叉耦合的CMOS反相器以及用于將交叉耦合的存儲節(jié)點(diǎn)耦合到第一和第二位線的相應(yīng)傳輸門。通過利用具有與其相應(yīng)的對照物相反的應(yīng)力特性的應(yīng)力襯墊來構(gòu)建反相器晶體管之一或傳輸門晶體管，非對稱性被包含在每個存儲器單元中。例如，可以用壓縮氮化物襯墊層（40C）來構(gòu)造每個存儲器單元中的p溝道負(fù)載晶體管和n溝道驅(qū)動器晶體管之一，而...
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