技術(shù)編號：6764059
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及存儲器單元。本發(fā)明實施例提供SRAM單元以及包括所述SRAM單元的SRAM單元陣列。根據(jù)本發(fā)明實施例的SRAM單元包括上拉晶體管和下拉晶體管，從而在進行讀出操作時不需要對預先讀出位線進行預充電。采用本發(fā)明的方法，可以抑制漏電流的產(chǎn)生，從而降低SRAM芯片的功耗。專利說明存儲器單元[0001 ] 本發(fā)明涉及電路技術(shù)，更具體地說，涉及存儲器單元。背景技術(shù)[0002]靜態(tài)隨機訪問存儲器(SRAM)的是一種重要的存儲器類型。SRAM的典型配置包括SRAM...
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