技術(shù)編號(hào)：6763010
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及非易失性存儲(chǔ)器件，具體涉及1T1C型鐵電存儲(chǔ)器(FRAM(Ferroelectric Randon Access Memory)鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器)的讀出動(dòng)作中基準(zhǔn)電位的發(fā)生技術(shù)。背景技術(shù) 圖11示出已有的1T1C(1個(gè)晶體管1個(gè)電容器)型鐵電存儲(chǔ)器的構(gòu)成。圖中是表示1行2n列1個(gè)I/O構(gòu)成的存儲(chǔ)單元陣列，n能取任意的整數(shù)。1001～1008為1T1C型鐵電存儲(chǔ)單元。1011～1014為將具有互補(bǔ)關(guān)系的位線BLt[2n+10]、BLb[2n+10]的...
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