技術(shù)編號：6762872
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明總的涉及到集成電路(IC)存儲器件，并且更具體地涉及到一種不對稱晶體結(jié)構(gòu)存儲電阻元件及其制造方法。背景技術(shù) 通常，使用存儲電阻器材料，如超大磁致電阻(CMR)材料，的存儲單元采用未經(jīng)圖案化的大的導(dǎo)電底部電極、未經(jīng)圖案化的CMR材料以及相對較小的頂部電極制成。這些器件在有限的一些應(yīng)用中起作用，但是因為存儲單元尺寸相對較大，所以它們不適用于高密度存儲器陣列應(yīng)用。因為CMR材料的電阻在多數(shù)情況下保持恒定，CMR材料可以說具有非易失特性。但是，當高電場感應(yīng)電...
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