技術(shù)編號：6761010
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及在柵電極的側(cè)面具有凹口的。背景技術(shù) 為了改善半導(dǎo)體裝置的性能，須開發(fā)具有優(yōu)良特性的MOS晶體管。而且，為了實現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的高速動作，一般使MOS晶體管的漏極電流變大，并使其寄生電容變小。特別是，在隔著柵絕緣膜的柵電極與源極/漏極區(qū)之間的重疊部分產(chǎn)生的覆蓋電容，對晶體管特性產(chǎn)生很大的影響，因此，減小覆蓋電容就成為業(yè)界的一大課題。在非專利文獻1，公開了減小該覆蓋電容的方法。在非專利文獻1所記載的技術(shù)中，通過在柵電極的底部形成凹口，減少隔著柵絕緣膜的柵...
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